[發明專利]制造半導體封裝的方法

在審

• 申請號: 201610239981.4
• 申請日: 2016-04-18
• 公開（公告）號: CN106992126A
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 羅翊仁;施能泰
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 王允方

1.一種制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法包含：

在晶圓中形成至少一個導電通孔，其中所述導電通孔具有第一端與相對所述第一端的第二端，其中所述晶圓具有第一表面與相對所述第一表面的第二表面，且所述導電通孔的所述第一端露出于所述晶圓的所述第一表面；

研磨所述晶圓的所述第二表面以形成內部分與環繞所述內部分的外圍部分，其中所述內部分的厚度比所述外圍部分的厚度薄；以及

蝕刻所述內部分以露出所述導電通孔的所述第二端。

2.如權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述晶圓包含：

硅基板，其鄰近所述晶圓的所述第二表面；

上硅層，其鄰近所述晶圓的所述第一表面；以及

內埋介質層，其設置于所述硅基板與所述上硅層之間，其中在所述研磨之前，所述導電通孔延伸經過所述上硅層與所述內埋介質層。

3.如權利要求2所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，在所述研磨之前，所述導電通孔還延伸至所述硅基板的一部分。

4.如權利要求2所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，研磨所述晶圓的所述第二表面包含研磨所述晶圓的所述硅基板。

5.如權利要求4所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，蝕刻所述內部分包含：

蝕刻所述硅基板的剩余部分，其中所述內埋介質層為蝕刻停止層。

6.如權利要求5所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述內埋 介質層是由二氧化硅所組成。

7.如權利要求2所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述導電通孔包含導電柱以及環繞所述導電柱的絕緣層，其中所述方法還包含：

在蝕刻所述內部分之后，蝕刻所述導電通孔的所述絕緣層。

8.如權利要求7所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述導電通孔的所述絕緣層的厚度比所述晶圓的所述內埋介質層的厚度薄。

9.如權利要求7所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述絕緣層與所述內埋介質層皆由二氧化硅所組成。

10.如權利要求7所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，蝕刻所述晶圓的所述內部分以及蝕刻所述導電通孔的所述絕緣層是通過濕蝕刻方式進行。

11.如權利要求7所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，蝕刻所述晶圓的所述內部分以及蝕刻所述導電通孔的所述絕緣層是采用不同的濕蝕刻溶液進行。

12.如權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法還包含：

在所述晶圓的所述第一表面上形成圖案化金屬層，其中所述圖案化金屬層電性連接所述導電通孔。

13.如權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法還包含：

在所述晶圓的所述第一表面上形成焊接塊，其中所述焊接塊電性連接所述導電通孔。

14.如權利要求13所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，在蝕刻所述內部分時，所述經研磨的第二表面受到蝕刻，且所述方法還包含：

在所述晶圓的所述經蝕刻的第二表面上，形成至少一個焊接球，其中所述焊接球電性連接所述導電通孔。

15.如權利要求14所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法還包含：

將至少一個封裝元件與所述晶圓的所述第一表面結合，其中所述封裝元件通過所述焊接塊電性連接所述導電通孔。

16.如權利要求15所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法還包含：

移除所述晶圓的所述外圍部分；以及

將所述晶圓切割成多個微型裝置，其中每個所述微型裝置包含所述封裝元件以及所述焊接球。

17.如權利要求16所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述制造半導體封裝的方法還包含：

通過焊接球，將所述多個微型裝置的至少一個與基板結合。

18.如權利要求1所述的制造半導體封裝的方法，其特征在于，所述導電通孔設置對應于所述晶圓的所述內部分。