[發(fā)明專利]傳輸電路及存儲器電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610236349.4 | 申請日： | 2016-04-15 |
| 公開（公告）號： | CN105680674B | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 楊光軍 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H02M1/08 | 分類號： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 張振軍;吳敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 傳輸 電路 存儲器 | ||
1.一種傳輸電路，其特征在于，包括：
傳輸單元，所述傳輸單元的控制端接收第一電壓，所述傳輸單元適于在所述第一電壓的控制下，將第二電壓從所述傳輸單元的輸入端傳輸至所述傳輸單元的輸出端；
第一升壓單元，適于對所述第二電壓進行升壓，以得到所述第一電壓；
負載MOS管，所述負載MOS管的漏極耦接所述傳輸單元的控制端，所述負載MOS管的柵極接收第三電壓；
其中，所述第三電壓大于電源電壓且小于所述第一電壓。
2.根據(jù)權利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，還包括第二升壓單元，所述第二升壓單元包括多個級聯(lián)的升壓子單元，用于生成所述第二電壓。
3.根據(jù)權利要求2所述的傳輸電路，其特征在于，所述第三電壓由任一級所述升壓子單元的輸出端提供。
4.根據(jù)權利要求2所述的傳輸電路，其特征在于，所述升壓子單元包括：第一開關、第一NMOS管、第一電容和反相器，其中，
所述第一開關的第一端耦接所述升壓子單元的第一端，所述第一開關的第二端耦接所述第一NMOS管的源極、所述第一電容的第一端和所述升壓子單元的輸出端，所述第一開關的控制接收第一時鐘；
所述第一NMOS管的柵極耦接所述第一NMOS管的漏極并耦接電源；
所述第一電容的第二端耦接所述反相器的輸出端；
所述反相器的輸入端輸入有第二時鐘。
5.根據(jù)權利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，所述負載MOS管的源極經由開關單元接地，所述開關單元的控制端接收使能信號，在所述使能信號的作用下，所述負載MOS管的源極形成或斷開與地的通路。
6.根據(jù)權利要求5所述的傳輸電路，其特征在于，所述開關單元包括：第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極耦接所述開關單元的控制端，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS的漏極耦接所述負載MOS管的源極。
7.根據(jù)權利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，所述傳輸單元包括：第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極耦接所述傳輸單元的控制端，所述第三NMOS管的漏極耦接所述傳輸單元的輸入端，所述第三NMOS管的源極耦接所述傳輸單元的輸出端。
8.根據(jù)權利要求1所述的傳輸電路，其特征在于，所述第一升壓單元為電荷泵電路。
9.根據(jù)權利要求1至8任一項所述的傳輸電路，其特征在于，所述第三電壓的范圍為所述第一電壓的20％到80％之間。
10.一種存儲器電路，其特征在于，包括權利要求1至9任一項所述的傳輸電路。
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H02M 用于交流和交流之間、交流和直流之間、或直流和直流之間的轉換以及用于與電源或類似的供電系統(tǒng)一起使用的設備；直流或交流輸入功率至浪涌輸出功率的轉換；以及它們的控制或調節(jié)
H02M1-00 變換裝置的零部件
H02M1-02 .專用于在靜態(tài)變換器內的放電管產生柵極控制電壓或引燃極控制電壓的電路
H02M1-06 .非導電氣體放電管或等效的半導體器件的專用電路，例如閘流管、晶閘管的專用電路
H02M1-08 .為靜態(tài)變換器中的半導體器件產生控制電壓的專用電路
H02M1-10 .具有能任意地用不同種類的電流向負載供電的變換裝置的設備，例如用交流或直流
H02M1-12 .減少交流輸入或輸出諧波成分的裝置
