[發明專利]傳輸電路及存儲器電路

有效

• 申請號: 201610236349.4
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN105680674B
• 公開（公告）日: 2019-02-01
• 發明（設計）人: 楊光軍
• 申請（專利權）人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
• 主分類號: H02M1/08
• 分類號: H02M1/08
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 張振軍;吳敏

一種傳輸電路及存儲器電路，所述傳輸電路包括：傳輸單元，所述傳輸單元的控制端接收第一電壓，所述傳輸單元適于在所述第一電壓的控制下，將第二電壓從所述傳輸單元的輸入端傳輸至所述傳輸單元的輸出端；第一升壓單元，適于對所述第二電壓進行升壓，以得到所述第一電壓；負載MOS管，所述負載MOS管的漏極耦接所述傳輸單元的控制端，所述負載MOS管的柵極接收第三電壓；其中，所述第三電壓大于電源電壓且小于所述第一電壓。本專利方案可以提高存儲器中的傳輸電路的電壓傳輸穩定性，并且較易實施。

技術領域

本發明涉及電子技術領域，特別涉及一種傳輸電路及存儲器電路。

背景技術

閃存(Flash)是一種長壽命的非易失性的存儲器，在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息，由于其斷電時仍能保存數據，閃存通常被用來保存設置信息，如在電腦的極板程序、個人數字助理、數碼相機中保存資料等。閃存也可以被看作電子可擦除只讀存儲器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，EEPROM)的變種，而閃存與EEPROM不同的是，EEPROM能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，而閃存的大部分芯片需要塊擦除。

對閃存的操作可以包括讀、編程以及擦除。在閃存中，擦除電壓一般為8V，編程電壓一般為12V，這要求傳輸電壓為12V的高電壓的傳輸電路具有穩定性，否則將影響對以閃存為例的存儲器進行操作時的穩定性?，F有的存儲器中的傳輸電路一般采用MOS管，以NMOS管為例，若將傳輸電壓為12V的高電壓從NMOS管的源極傳輸至其漏極時，需要對所述NMOS管的柵極施加高于12V的電壓，使得所述NMOS管的V_GS大于其閾值電壓V_TH，才能保證其源極至其漏極的電壓的有效傳輸。

然而，現有技術面臨著存儲器中的傳輸電路的電壓傳輸穩定性較差的問題。

發明內容

本發明解決的技術問題是如何提高存儲器中的傳輸電路的電壓傳輸穩定性。

為解決上述技術問題，本發明實施例提供一種傳輸電路，包括：傳輸單元，所述傳輸單元的控制端接收第一電壓，所述傳輸單元適于在所述第一電壓的控制下，將第二電壓從所述傳輸單元的輸入端傳輸至所述傳輸單元的輸出端；第一升壓單元，適于對所述第二電壓進行升壓，以得到所述第一電壓；負載MOS管，所述負載MOS管的漏極耦接所述傳輸單元的控制端，所述負載MOS管的柵極接收第三電壓；其中，所述第三電壓大于電源電壓且小于所述第一電壓。

可選地，所述傳輸電路還包括第二升壓單元，所述第二升壓單元包括多個級聯的升壓子單元，用于生成所述第二電壓。

可選地，所述第三電壓由任一級所述升壓子單元的輸出端提供。

可選地，所述升壓子單元包括：第一開關、第一NMOS管、第一電容和反相器，其中，所述第一開關的第一端耦接所述升壓子單元的第一端，所述第一開關的第二端耦接所述第一NMOS管的源極、所述第一電容的第一端和所述升壓子單元的輸出端，所述第一開關的控制接收第一時鐘；所述第一NMOS管的柵極耦接所述第一NMOS管的漏極并耦接電源；所述第一電容的第二端耦接所述反相器的輸出端；所述反相器的輸入端輸入有第二時鐘。

可選地，所述負載MOS管的源極經由開關單元接地，所述開關單元的控制端接收使能信號，在所述使能信號的作用下，所述負載MOS管的源極形成或斷開與地的通路。

可選地，所述開關單元包括：第二NMOS管，所述第二NMOS管的柵極耦接所述開關單元的控制端，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS的漏極耦接所述負載MOS管的源極。

可選地，所述傳輸單元包括：第三NMOS管，所述第三NMOS管的柵極耦接所述傳輸單元的控制端，所述第三NMOS管的漏極耦接所述傳輸單元的輸入端，所述第三NMOS管的源極耦接所述傳輸單元的輸出端。