[發(fā)明專利]半導體存儲器件及其操作方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610235876.3 | 申請日: | 2016-04-15 |
| 公開(公告)號: | CN106653083B | 公開(公告)日: | 2020-11-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李映勛 | 申請(專利權(quán))人: | 愛思開海力士有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/08 |
| 代理公司: | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 王建國;許偉群 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導體 存儲 器件 及其 操作方法 | ||
一種存儲器件包括:多個存儲器單元,每個存儲器單元被編程為具有基于其閾值電壓劃分的多個編程狀態(tài)之中的任意一個編程狀態(tài);以及外圍電路,其用于對多個存儲器單元執(zhí)行主編程操作,以及用于對在執(zhí)行主編程操作時關(guān)于主編程操作的閾值電壓改變的至少一個存儲器單元執(zhí)行額外的編程操作。
相關(guān)申請的交叉引用
本申請要求于2015年11月3日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0153930的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施例涉及一種半導體存儲器件及其操作方法。
背景技術(shù)
半導體存儲器件是一種在半導體材料上加以實現(xiàn)的存儲器件。適用的已知半導體材料包括:硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAS)、磷化銦(InP)或者它們的任意組合。半導體存儲器件通常被劃分為易失性存儲器件或者非易失性存儲器件。
易失性存儲器件在電源被切斷時不保持存儲的數(shù)據(jù)。易失性存儲器件的示例包括:靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等等。非易失性存儲器件即使在電源被切斷時也保持存儲的數(shù)據(jù)。非易失性存儲器件的示例包括:只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除和可編程ROM(EEPROM)、快閃存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、阻變RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等等。快閃存儲器件被廣泛地利用,并且通常被劃分為或非快閃存儲器類型或者與非快閃存儲器類型。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供了一種具有提高的編程速度的半導體存儲器件及其操作方法。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種操作存儲器件的方法可以包括:對多個存儲器單元執(zhí)行主編程操作,并且對在執(zhí)行主編程操作時關(guān)于主編程操作的閾值電壓改變的至少一個存儲器單元執(zhí)行額外的編程操作。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,提供了一種操作存儲器件的方法,所述存儲器件包括多個存儲器單元,每個存儲器單元被編程為具有基于其閾值電壓所劃分的多個編程狀態(tài)之中的任意一個編程狀態(tài),所述方法可以包括:通過利用與第n編程狀態(tài)相對應(yīng)的驗證電壓來驗證被編程為具有多個編程狀態(tài)之中的任意第n編程狀態(tài)的多個存儲器單元,并且如果驗證失敗,則將與第n編程狀態(tài)相對應(yīng)的編程脈沖施加至與多個存儲器單元連接的字線。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種存儲器件可以包括:多個存儲器單元,每個存儲器單元被編程為具有基于其閾值電壓劃分的多個編程狀態(tài)之中的任意一個編程狀態(tài);以及外圍電路,其被配置成對多個存儲器單元執(zhí)行主編程操作,和對在執(zhí)行主編程操作時關(guān)于主編程操作的閾值電壓改變的至少一個存儲器單元執(zhí)行額外的編程操作。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種存儲器件可以包括:多個存儲器單元,每個存儲器單元被編程為具有基于其閾值電壓所劃分的多個編程狀態(tài)之中的任意一個編程狀態(tài);以及外圍電路,其被配置成通過利用與第n編程狀態(tài)相對應(yīng)的驗證電壓來驗證被編程為具有多個編程狀態(tài)之中的任意第n編程狀態(tài)的多個存儲器單元,并且如果驗證失敗,則將與第n編程狀態(tài)相對應(yīng)的編程脈沖施加至與多個存儲器單元連接的字線。
附圖說明
在下文中將參照附圖更全面地描述示例性實施例;然而,這些實施例可以采用不同的形式來實施,并且不應(yīng)當被解釋為限制于本文中所列舉的實施例。確切地說,提供這些實施例以使本發(fā)明相對于本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員是充分且完整。
在附圖中,為了清楚的圖示,可以對尺寸進行夸大處理。將理解的是,當提及一個元件在兩個元件“之間”時,其可能是在兩個元件之間的唯一的一個元件,或者還可以存在一個或更多個中間元件。相同的附圖標記始終表示相同的元件。
圖1為圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的存儲系統(tǒng)的框圖。
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