[發明專利]半導體存儲器件及其操作方法

有效

• 申請號: 201610235876.3
• 申請日: 2016-04-15
• 公開（公告）號: CN106653083B
• 公開（公告）日: 2020-11-03
• 發明（設計）人: 李映勛
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C16/10
• 分類號: G11C16/10;G11C16/08
• 代理公司: 北京弘權知識產權代理事務所(普通合伙) 11363
• 代理人: 王建國;許偉群

1.一種操作存儲器件的方法，所述方法包括：

對多個存儲器單元執行主編程操作，以便將多個存儲器單元編程為與一個或多個閾值電壓相對應的一個或多個編程狀態，所述主編程操作包括給多個存儲器單元施加編程脈沖并對多個存儲器單元進行驗證；以及

對具有在主編程操作期間改變的閾值電壓的至少一個存儲器單元執行額外的編程操作，所述額外的編程操作包括：

對至少一個存儲器單元進行額外的驗證；以及

給所述額外的驗證失敗的至少一個存儲器單元施加額外的編程脈沖，

其中，所述額外的編程操作是在對所述多個存儲器單元全部完成主編程操作之后被執行的。

2.根據權利要求1所述的方法，其中，執行主編程操作包括：

給選中的字線施加所述編程脈沖；以及

驗證多個存儲器單元中的每個存儲器單元的編程狀態。

3.根據權利要求2所述的方法，其中，執行主編程操作還包括：

重復施加編程脈沖和驗證存儲器單元的編程狀態，直到每個存儲器單元的閾值電壓達到目標編程狀態為止。

4.根據權利要求2所述的方法，其中，驗證存儲器單元的編程狀態包括：施加具有與編程狀態的讀取電壓相同的電平的驗證電壓。

5.根據權利要求4所述的方法，還包括：

基于存儲器單元的閾值電壓與驗證電壓之間的比較，而確定對每個存儲器單元的驗證是通過還是失敗。

6.根據權利要求1所述的方法，其中，執行額外的編程操作包括：

通過利用與存儲器單元的目標編程狀態相對應的驗證電壓而對存儲器單元的編程狀態進行所述額外的驗證；以及

給選中的字線施加與所述額外的驗證失敗的編程狀態相對應的額外的編程脈沖。

7.根據權利要求1所述的方法，其中，執行額外的編程操作包括：

通過利用與存儲器單元的目標編程狀態相對應的驗證電壓對存儲器單元的編程狀態進行額外的驗證；以及

給選中的字線施加與所述額外的驗證失敗的編程狀態對應的額外的編程脈沖、以及施加與比所述額外的驗證失敗的編程狀態高的編程狀態對應的額外的編程脈沖。

8.根據權利要求1所述的方法，其中，執行額外的編程操作包括：

通過利用與一任意編程狀態相對應的驗證電壓而對一存儲器單元進行額外的驗證，其中該存儲器單元被編程為具有一個或多個編程狀態中的所述任意編程狀態；

基于額外的驗證的結果來判定是否施加與所述任意編程狀態對應的額外的編程脈沖；以及

無論判定結果如何，都對被編程為具有與所述任意編程狀態不同的其它編程狀態的存儲器單元進行額外的驗證。

9.根據權利要求8所述的方法，進一步包括：

當額外的驗證失敗時，將與所述任意編程狀態對應的額外的編程脈沖施加至被編程為具有所述任意編程狀態的存儲器單元。

10.一種存儲器件，包括：

多個存儲器單元，每個存儲器單元被編程為具有基于其閾值電壓劃分的多個編程狀態之中的任意一個編程狀態；以及

外圍電路，被配置成對多個存儲器單元執行主編程操作，以及對在執行主編程操作時關于主編程操作的閾值電壓改變的至少一個存儲器單元執行額外的編程操作，

其中，所述主編程操作包括給多個存儲器單元施加編程脈沖并對多個存儲器單元進行驗證；

其中，額外的編程操作包括：

對至少一個存儲器單元進行額外的驗證；

給額外的驗證失敗的存儲器單元施加額外的編程脈沖；以及

其中，外圍電路在對所述多個存儲器單元全部完成主編程操作之后執行所述額外的編程操作。

11.根據權利要求10所述的存儲器件，其中，外圍電路施加編程脈沖至與多個存儲器單元連接的字線，并且通過利用驗證電壓而驗證多個存儲器單元的編程狀態。