[發明專利]射頻LDMOS晶體管及其制作方法

在審

• 申請號: 201610235235.8
• 申請日: 2016-04-14
• 公開（公告）號: CN105742365A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 鄧小川;劉冬冬;梁坤元;甘志
• 申請（專利權）人: 東莞電子科技大學電子信息工程研究院
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336;H01L29/40;H01L29/06
• 代理公司: 成都點睛專利代理事務所(普通合伙) 51232
• 代理人: 敖歡;葛啟函

1.一種射頻LDMOS晶體管，包含：在P+襯底(1)上方的P型外延層(2)、P+襯底(1)下方的背面金屬電極(14)、P型外延層(2)內部的P阱(5)、P阱左側的P+sinker區(8)、P阱右側的N-漂移區(6)，P阱中N+區構成N+源極(7)，N-漂移區中N+區構成N+漏極(9)，所述P阱中N+源極右側上方至N-漂移區左側上方設有多晶硅柵極(4)，多晶硅柵極下方設有柵氧化層(3)，P+sinker和N+源極的上方設有源極金屬(12)，N+漏極的上方設有漏極金屬(13)，其特征在于：所述多晶硅柵極(4)的上方右側設有法拉第罩(11)，所述法拉第罩包括階梯狀金屬層(110)和沿多晶硅柵極方向排布的多個塊狀金屬層(111)，所述法拉第罩與半導體表面之間設有二氧化硅介質層(10)。

2.根據權利要求1所述的的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：所述塊狀金屬層(111)與階梯狀金屬層(110)是一次成型的整體。

3.根據權利要求1所述的的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：所述塊狀金屬層沿多晶硅柵極方向等間距設置。

4.根據權利要求1所述的射頻LDMOS晶體管，其特征在于：所述二氧化硅介質層厚度為

5.權利要求1至4任意一項所述的射頻LDMOS晶體管的制作方法，其特征在于包括以下步驟：

a、在P+襯底(1)上形成P型外延層(2)；

b、在P型外延層(2)中通過離子注入形成P+sinker區(8)；

c、在半導體表面生長一層柵介質二氧化硅，并淀積多晶硅，刻蝕所述多晶硅為柵極形狀從而形成多晶硅柵極；

d、采用離子注入及高溫推結形成P阱，在所述P阱中通過離子注入形成N+源極(7)，采用離子注入形成輕摻雜N-漂移區，在所述輕摻雜N-漂移區中通過離子注入形成N+漏極(9)；

e、在所述半導體表面淀積二氧化硅介質層；

f、在所述介質層上淀積金屬層，通過刻蝕工藝形成位于多晶硅柵極上方右側的階梯型金屬層以及N-漂移區上方的沿多晶硅柵極方向分布的塊狀金屬層，構成法拉第罩；

g、淀積金屬，刻蝕，形成源極金屬和漏極金屬。