[發明專利]一種硅基薄膜太陽能電池在審
| 申請號: | 201610235196.1 | 申請日: | 2016-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN105679868A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 董友強 | 申請(專利權)人: | 董友強 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/056 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 馮筠 |
| 地址: | 528100 廣東省佛山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
技術領域
本發明涉及一種硅基薄膜太陽能電池,屬于硅基薄膜太陽能電池 生產技術領域。
背景技術
硅基薄膜太陽能電池由于其技術成熟、環境友好、制備成本低、 可制備于柔性襯底上、可制備透光型電池等諸多優點而被廣泛地進行 批量生產并應用于地面太陽能電站以及光伏幕墻、屋頂電站等光伏建 筑一體化(BIPV)等。對于高效率硅基薄膜太陽能電池來說,盡量多 地吸收入射光可以產生高的光生電流,陷光技術是最重要、最有效的 光管理技術,可以使硅基薄膜太陽能電池有效地吸收入射光。在硅基 薄膜太陽能電池結構的背透明電極上沉積一層背二氧化鈦(TiO2)薄 膜同樣可以有效地對入射光進行反射從而有效地增加光電流,提高電 池的轉換效率。電池的效率和制備成本存在著一定平衡,對于如上所 述的具有反射特性的二氧化鈦薄膜,它們的沉積工藝主要都是在制備 好的硅基薄膜太陽能電池上進行,其沉積工藝在一定程度上決定硅基 薄膜太陽能電池的膜層材料的特性和電池效率。此外,連續沉積工藝 也影響著生產節拍和產能,在一定程度上增加了電池的制備成本,從 而制約著硅基薄膜太陽能電池的發展和企業的競爭實力。
發明內容
本發明的目的是提供一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄膜太 陽能電池,使得高反射的二氧化鈦背反射薄膜的制備與硅基薄膜電池 的制備同步獨立進行,然后通過層壓工藝將兩者進行封裝,這樣將有 效地提高電池效率,同時提高了節拍、增加了產能、降低電池的制備 成本,解決背景技術存在的上述問題。
本發明的技術方案是:一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄膜太 陽能電池,包含二氧化鈦背反射薄膜、封裝背板、硅基薄膜電池、透 明前基板和封裝材料;封裝背板上二氧化鈦背反射薄膜的制備與硅基 薄膜電池的制備同步獨立進行,然后,將封裝背板與硅基薄膜電池的 透明前基板通過封裝材料采用層壓工藝進行封裝,,所述封裝背板從 中心向外依次包括基層、外層以及含氟涂層,所述外層表面經過等離 子處理,所述外層為BMC層或SMC層,所述基層為PET蜂窩層,所 述PET蜂窩層是由上、下面板中間夾一比較厚的軟夾芯所構成,所述 含氟涂層的表面經過等離子處理。
所述的二氧化鈦背反射薄膜至少包含一層二氧化鈦薄膜,制備在 封裝背板上,背反射薄膜的膜厚控制在100納米到500微米之間。
所述的基層材料為玻璃、或者不銹鋼、或者有機聚合物材料。
所述的硅基薄膜電池為硅基薄膜太陽能電池,包括所有硅材料和 硅基合金材料的單結和多結疊層結構的薄膜太陽能電池。
所述的透明前基板為玻璃或者聚酯膜。
所述的封裝材料為在可見光區平均光透過率大于10%的有機聚 合物材料。
本發明的積極效果:將高反射的二氧化鈦背反射薄膜的制備與硅 基薄膜電池的制備同步獨立進行,然后通過層壓工藝將兩者進行封 裝,這樣將有效地提高電池效率,同時提高了節拍、增加了產能、簡 化了電池制備工藝,降低電池的制備成本,并可廣泛用于實際的批量 工業生產中。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面 將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而 易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明中記載的一些實施例,對于 本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根 據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本發明實施例結構示意圖;圖2是本發明背板的結構示意 圖。
圖中:透明前基板1、硅基薄膜電池2、封裝材料3、二氧化鈦 背反射薄膜4、封裝背板5。
具體實施方式
為了使本技術領域的人員更好地理解本發明中的技術方案,下面 將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清 楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例, 而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員 在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都應當屬于 本發明保護的范圍。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





