[發明專利]一種硅基薄膜太陽能電池在審
| 申請號: | 201610235196.1 | 申請日: | 2016-04-14 |
| 公開(公告)號: | CN105679868A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 董友強 | 申請(專利權)人: | 董友強 |
| 主分類號: | H01L31/048 | 分類號: | H01L31/048;H01L31/049;H01L31/056 |
| 代理公司: | 深圳市精英專利事務所 44242 | 代理人: | 馮筠 |
| 地址: | 528100 廣東省佛山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 薄膜 太陽能電池 | ||
1.一種硅基薄膜太陽能電池,其特征在于:包含二氧化鈦背反 射薄膜(4)、封裝背板(5)、硅基薄膜電池(2)、透明前基板(1) 和封裝材料(3);封裝背板上二氧化鈦背反射薄膜的制備與硅基薄膜 電池的制備同步獨立進行,然后,將封裝背板與硅基薄膜電池的透明 前基板通過封裝材料采用層壓工藝進行封裝,所述封裝背板從中心向 外依次包括基層、外層以及含氟涂層,所述外層表面經過等離子處理, 所述外層為BMC層或SMC層,所述基層為PET蜂窩層,所述PET蜂 窩層是由上、下面板中間夾一比較厚的軟夾芯所構成,所述含氟涂層 的表面經過等離子處理。
2.根據權利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄 膜太陽能電池,其特征為:所述的二氧化鈦背反射薄膜至少包含一層 二氧化鈦薄膜,制備在封裝背板上,背反射薄膜的膜厚控制在100納 米到500微米之間。
3.根據權利要求1或2所述之一種新型二氧化鈦背反射結構硅 基薄膜太陽能電池,其特征為:所述的基層材料為玻璃、或者不銹鋼、 或者有機聚合物材料。
4.根據權利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄 膜太陽能電池,其特征為:所述的硅基薄膜電池為硅基薄膜太陽能電 池,包括所有硅材料和硅基合金材料的單結和多結疊層結構的薄膜太 陽能電池。
5.根據權利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄 膜太陽能電池,其特征為:所述的透明前基板為玻璃或者聚酯膜。
6.根據權利要求1所述之一種新型二氧化鈦背反射結構硅基薄 膜太陽能電池,其特征為:所述的封裝材料為在可見光區平均光透過 率大于10%的有機聚合物材料。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





