[發明專利]TFT基板及其制作方法在審
| 申請號: | 201610228341.3 | 申請日: | 2016-04-13 |
| 公開(公告)號: | CN105702687A | 公開(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發明(設計)人: | 王濤 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | tft 及其 制作方法 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示技術領域,尤其涉及一種TFT基板及其制作方法。
背景技術
液晶顯示器(LiquidCrystalDisplay,LCD)是目前最廣泛使用的平板顯 示器之一,液晶面板是液晶顯示器的核心組成部分。
傳統的液晶顯示面板通常是由一彩色濾光片(ColorFilter,CF)基板、 一薄膜晶體管陣列基板(ThinFilmTransistorArraySubstrate,TFTArray Substrate)以及一配置于兩基板間的液晶層(LiquidCrystalLayer)所構成, 其工作原理是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶分子,兩片玻璃基板中間 有許多垂直和水平的細小電線,通過通電與否來控制液晶分子改變方向,將 背光模組的光線折射出來產生畫面。其中薄膜晶體管陣列基板上制備薄膜晶 體管陣列,用于驅動液晶的旋轉,控制每個像素的顯示,而彩色濾光片基板 上設有彩色濾光層,用于形成每個像素的色彩。
請參閱圖1,為現有的TFT基板的結構示意圖,包括襯底基板100’及在 襯底基板100’上由下而上依次設置的遮光層(LightshieldingLayer)200’、緩 沖層300’、TFT400’、平坦化層500’、底層電極600’、鈍化層700’、及頂層 電極800’。其中,TFT400’包括由下至上依次設置的有源層410’、柵極絕緣 層420’、柵極430’、層間介電層440’、源極450’、及漏極460’,源極450’與 漏極460’分別通過貫穿柵極絕緣層420’、及層間介電層440的第一通孔910’ 及第二通孔920’與有源層410’的兩端連接。
請參閱圖2,為圖1的TFT基板中的TFT的俯視示意圖,該TFT400’為 頂柵結構,有源層410’設置在柵極430’的下方,所述有源層410’的制作是通 過在有源層410’上涂布掩膜光刻膠并進行干蝕刻而完成的。請參閱圖3,為 圖1的TFT基板中的TFT沿圖2中的A’-A’線的剖視示意圖,從圖3中可以 看出,沿所述柵極430’的長度方向,所述有源層410’的兩側均具有一尖端 415’,在TFT400’工作時,有源層410’兩側的尖端415’會產生電場集中效 應,使尖端415’處感應出的載流子的濃度增大,形成側面寄生TFT,從而使 TFT400’的輸出電性改變,產生TFT提前打開的現象,影響液晶顯示面板正 常的顯示工作。
發明內容
本發明的目的在于提供一種TFT基板,避免有源層結構對TFT輸出電性 的影響,TFT質量高,工作穩定性強。
本發明的另一目的在于提供一種TFT基板的制作方法,避免有源層結構 對TFT輸出電性的影響,提升TFT質量,增強TFT基板的工作穩定性。
為實現上述目的,本發明首先提供一種TFT基板,包括:襯底基板、及 設置在所述襯底基板上的TFT;
所述TFT包括:有源層、設置在所述有源層上的柵極絕緣層、設置在所 述柵極絕緣層上且水平位置與有源層對應的柵極、設置在所述柵極及柵極絕 緣層上的層間介電層、及設置在所述層間介電層上的源極及漏極;
沿柵極的長度方向,所述有源層至少包括位于中間的第一區域、及位于 所述第一區域兩側的第二區域,所述第一區域的厚度大于第二區域的厚度, 使得所述有源層的兩側均具有至少一個臺階。
所述步驟2制得的有源層的兩側均具有一個臺階。
所述TFT基板還包括:設置在所述襯底基板與TFT之間的遮光層與緩沖 層、設置在所述TFT上的平坦化層、設置在所述平坦化層上的底層電極、設 置在所述底層電極上的鈍化層、及設置在所述鈍化層上的頂層電極。
所述有源層與遮光層相對應,且所述遮光層在水平方向上完全覆蓋所述 有源層。
所述柵極絕緣層和層間介電層上對應有源層兩端的位置設有第一通及第 二通孔,所述源極與漏極分別通過第一通孔及第二通孔與有源層的兩端連 接;
所述平坦化層上對應漏極的位置設有第三通孔,所述頂層電極通過第三 通孔與漏極連接。
本發明還提供一種TFT基板的制作方法,包括以下步驟:
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610228341.3/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:超級結器件
- 下一篇:一種薄膜晶體管及其制備方法、陣列基板及顯示裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





