[發(fā)明專利]TFT基板及其制作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610228341.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-13 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN105702687A | 公開(kāi)(公告)日: | 2016-06-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王濤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/12 | 分類號(hào): | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | tft 及其 制作方法 | ||
1.一種TFT基板,其特征在于,包括:襯底基板(100)、及設(shè)置在所 述襯底基板(100)上的TFT(400);
所述TFT(400)包括:有源層(410)、設(shè)置在所述有源層(410)上的 柵極絕緣層(420)、設(shè)置在所述柵極絕緣層(420)上且水平位置與有源層 (410)對(duì)應(yīng)的柵極(430)、設(shè)置在所述柵極(430)及柵極絕緣層(420)上 的層間介電層(440)、及設(shè)置在所述層間介電層(440)上的源極(450)及 漏極(460);
沿所述柵極(430)的長(zhǎng)度方向,所述有源層(410)至少包括位于中間 的第一區(qū)域(411)、及位于所述第一區(qū)域(411)兩側(cè)的第二區(qū)域(412),且 所述第一區(qū)域(411)的厚度大于第二區(qū)域(412)的厚度,使得所述有源層 (410)的兩側(cè)均具有至少一個(gè)臺(tái)階。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT基板,其特征在于,所述有源層(410)的 兩側(cè)均具有一個(gè)臺(tái)階。
3.如權(quán)利要求1所述的TFT基板,其特征在于,還包括:設(shè)置在所述襯 底基板(100)與TFT(400)之間的遮光層(200)與緩沖層(300)、設(shè)置在 所述TFT(400)上的平坦化層(500)、設(shè)置在所述平坦化層上(500)上的 底層電極(600)、設(shè)置在所述底層電極(600)上的鈍化層(700)、及設(shè)置在 所述鈍化層(700)上的頂層電極(800)。
4.如權(quán)利要求3所述的TFT基板,其特征在于,所述有源層(410)與 遮光層(200)相對(duì)應(yīng),且所述遮光層(200)在水平方向上完全覆蓋所述有 源層(410)。
5.如權(quán)利要求3所述的TFT基板,其特征在于,所述柵極絕緣層(420 )和層間介電層(440)上對(duì)應(yīng)有源層(410)兩端的位置設(shè)有第一通孔(910 )及第二通孔(920),所述源極(450)與漏極(460)分別通過(guò)第一通孔( 910)及第二通孔(920)與有源層(410)的兩端連接;
所述平坦化層(500)上對(duì)應(yīng)漏極(460)的位置設(shè)有第三通孔(930), 所述頂層電極(800)通過(guò)第三通孔(930)與漏極(460)連接。
6.一種TFT基板的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
步驟1、提供一襯底基板(100),在所述襯底基板(100)上形成半導(dǎo)體 材料層(10),并在所述半導(dǎo)體材料層(10)上形成光刻膠層(11),采用一 道光罩(15)對(duì)所述光刻膠層(11)進(jìn)行曝光、顯影,得到光刻膠圖案 (20),沿柵極的長(zhǎng)度方向,所述光刻膠圖案(20)至少包括位于中間的第一 光刻膠段(21)、及位于兩側(cè)的第二光刻膠段(22),且所述第一光刻膠段 (21)的厚度大于所述第二光刻膠段(22)的厚度;
步驟2、采用對(duì)所述光刻膠圖案(20)與半導(dǎo)體材料層(10)均能進(jìn)行蝕 刻的氣體對(duì)所述光刻膠圖案(20)與半導(dǎo)體材料層(10)進(jìn)行至少兩步蝕 刻:
第一步蝕刻是將所述半導(dǎo)體材料層(10)上位于所述第二光刻膠段 (22)外側(cè)的部分變薄,同時(shí)將所述光刻膠圖案(20)的第一光刻膠段(21) 變薄,將所述光刻膠圖案(20)的第二光刻膠段(22)完全蝕刻掉;
第二步蝕刻是將所述光刻膠圖案(20)的第一光刻膠段(21)完全蝕刻 掉,將所述半導(dǎo)體材料層(10)上位于所述第二光刻膠段(22)外側(cè)的部分 完全蝕刻掉,同時(shí)將所述半導(dǎo)體材料層(10)上對(duì)應(yīng)于第二光刻膠段(22) 的部分變薄,得到有源層(410),所述有源層(410)至少包括位于中間且對(duì) 應(yīng)于第一光刻膠段(21)的第一區(qū)域(411)、及位于所述第一區(qū)域(411)兩 側(cè)且對(duì)應(yīng)于第二光刻膠段(22)的第二區(qū)域(412),所述第一區(qū)域(411)的 厚度大于第二區(qū)域(412)的厚度,使得所述有源層(410)的兩側(cè)均具有至 少一個(gè)臺(tái)階;
步驟3、在所述有源層(410)上形成柵極絕緣層(420),在所述柵極絕 緣層(420)上對(duì)應(yīng)有源層(410)的位置形成柵極(430),在所述柵極 (430)及柵極絕緣層(420)上形成層間介電層(440),在所述層間介電層 (440)上形成源極(450)及漏極(460),完成TFT(400)的制作。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





