[發(fā)明專利]一種在Cu薄膜體系中生成Cu三角晶體的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610225663.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-12 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105862007B | 公開(公告)日: | 2018-08-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 林啟敬;蔣莊德;王琛英;楊樹明;趙娜;伍子榮 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 西安交通大學(xué) |
| 主分類號(hào): | C23C14/58 | 分類號(hào): | C23C14/58;C23C14/14 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 陸萬壽 |
| 地址: | 710049 陜*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 cu 薄膜 體系 生成 三角 晶體 方法 | ||
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





