[發(fā)明專利]一種肖特基半導(dǎo)體裝置及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610225302.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-04-12 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN107293601B | 公開（公告）日： | 2021-10-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 朱江 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 朱江 |
| 主分類號(hào)： | H01L29/872 | 分類號(hào)： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 311106 浙江省杭州市臨平*** | 國(guó)省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 肖特基 半導(dǎo)體 裝置 及其 制備 方法 | ||
1.一種肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：包括：
襯底層，為第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料；
漂移層，為半導(dǎo)體材料，位于襯底層上，多個(gè)絕緣層垂直位于漂移層中，將漂移層劃分為交替排列的第一漂移層和第二漂移層；
第一漂移層，為第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，表面設(shè)置有肖特基結(jié)；
第二漂移層，為第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料上下疊加構(gòu)成，在肖特基半導(dǎo)體裝置內(nèi)上下形成一個(gè)具有PNP結(jié)構(gòu)的背靠背半導(dǎo)體結(jié)，或者多個(gè)具有NPN或PNP結(jié)構(gòu)的背靠背半導(dǎo)體結(jié)；
第二漂移層側(cè)壁設(shè)置絕緣層，與第一漂移層隔離，第二漂移層底部不設(shè)置絕緣層隔離，與襯底層相連；
第二漂移層內(nèi)上部設(shè)置有高濃度摻雜半導(dǎo)體材料，高濃度摻雜半導(dǎo)體材料下部低于第一漂移層表面肖特基結(jié)；
上表面金屬，設(shè)置于肖特基半導(dǎo)體裝置上表面，連接第一漂移層和第二漂移層。
2.如權(quán)利要求1所述的肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：第二漂移層中半導(dǎo)體材料包括為多晶或單晶半導(dǎo)體材料。
3.如權(quán)利要求1所述的肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：第二漂移層與上表面金屬接觸方式為歐姆接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：第二漂移層中不同導(dǎo)電類型半導(dǎo)體材料高度不同，包括從上到下除頂層和襯底層外依次降低。
5.如權(quán)利要求1所述的肖特基半導(dǎo)體裝置，其特征在于：第二漂移層為溝槽內(nèi)填充半導(dǎo)體材料形成，或者第一漂移層為溝槽內(nèi)填充半導(dǎo)體材料形成。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過(guò)對(duì)一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過(guò)施加于器件的磁場(chǎng)變化可控的
