[發(fā)明專利]VDMOS器件的制作方法

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• 申請日: 2016-04-12
• 公開（公告）號: CN107293491A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發(fā)明（設計）人: 趙圣哲;馬萬里
• 申請（專利權）人: 北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205
• 代理人: 張蓮蓮,劉芳

1.一種VDMOS器件的制作方法，其特征在于，包括：

在半導體基底上自下而上依次形成N層阻擋層，第M層的阻擋層的寬度小于下方相鄰的第M-1層的阻擋層的寬度，其中N為大于或等于2的正整數，M大于或等于2且小于或等于N；

在各阻擋層上形成具有圖案的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕各所述阻擋層以及各阻擋層下方的半導體基底，以在所述半導體基底中形成不同深度的溝槽。

2.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在各阻擋層上形成具有圖案的掩膜層包括：

在所述半導體基底和各阻擋層上形成具有圖案的掩膜層；

所述以所述掩膜層為掩膜，刻蝕各所述阻擋層以及各阻擋層下方的半導體基底，以在所述半導體基底中形成不同深度的溝槽包括：

以所述掩膜層為掩膜，刻蝕未被阻擋層覆蓋的半導體基底、各阻擋層以及各阻擋層下方的半導體基底，以在所述半導體基底中形成不同深度的溝槽。

3.根據權利要求2所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在半導體基底上形成自下而成依次形成的N層阻擋層之前，還包括：

獲取所述阻擋層與所述半導體基底的刻蝕速率比S；

確定需形成的各溝槽的深度，將最深的溝槽的深度作為目標深度，各深度中除了目標深度的其它深度作為比較深度；

獲取各比較深度與所述目標深度的深度差；

各比較深度對應的溝槽所對應的阻擋層的厚度等于所對應的深度差與S的乘積。

4.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述阻擋層的材料為基于所述半導體基底的材料的化合物。

5.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述半導體基底的材料是硅，所述阻擋層的材料是多晶硅，或者所述半導體基底的材料是GaN，所述阻擋層的材料是氮化硅。

6.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述N為4，且各阻擋層的一端在垂直于半導體基底的方向上齊平。

7.根據權利要求5所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在半導體 基底上形成自下而成依次形成的N層阻擋層包括：

在所述半導體基底上形成第一阻擋層；

在所述第一阻擋層上形成第二阻擋層，所述第二阻擋層的寬度小于第一阻擋層；

在所述第二阻擋層上形成第三阻擋層，所述第三阻擋層的寬度小于第二阻擋層；

所述第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層的第一端齊平。

8.根據權利要求6所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在形成所述阻擋層的半導體基底上形成具有圖案的掩膜層包括：

在形成所述阻擋層的半導體基底上沉積掩膜材料層；

刻蝕所述掩膜材料層，形成具有圖案的掩膜層；

其中，位于各阻擋層上的掩膜層的側面與所述各阻擋層的第二端齊平。

9.根據權利要求1所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，所述掩膜層包括以下材料層中的至少一種：氧化硅層、氧化鋁層、氮化硅層。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的VDMOS器件的制作方法，其特征在于，在所述半導體基底中形成不同深度的溝槽之后，還包括：

去除剩余的所述掩膜層和所述阻擋層。