[發明專利]包括用于沉浸光刻裝置的真空清除的環境系統

有效

• 申請號: 201610221854.1
• 申請日: 2004-03-29
• 公開（公告）號: CN105700301B
• 公開（公告）日: 2018-05-25
• 發明（設計）人: 安德魯·J·黑茲爾頓;邁克爾·瑟高
• 申請（專利權）人: 株式會社尼康
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種用于曝光襯底的沉浸曝光裝置，其特征在于，所述沉浸曝光裝置包括：

最后光學元件，所述最后光學元件被設置成在曝光期間是位在所述襯底上方；以及

容器元件，所述容器元件被設置成圍繞所述最后光學元件以將沉浸液體容納于定義在所述襯底和所述最后光學元件之間的空間中，

其中，所述容器元件包括：

第一入口，所述第一入口被設置成將所述沉浸液體從所述容器元件下方移除；

出口，所述出口相對于所述空間自所述第一入口輻射地向外配置，用以供應流體到所述容器元件下方；以及

第二入口，所述第二入口相對于所述空間自所述出口輻射地向外設置，用以將所述流體從所述容器元件下方移除，

其中所述容器元件具有底部表面，所述底部表面在曝光期間配置成面對所述襯底，所述第一入口被設置在所述底部表面處以將所述沉浸液體從在所述底部表面和所述襯底之間的間隙移除，以及

其中設有所述容器元件，使得在所述曝光期間，在為所述第一入口配置之處的所述底部表面和所述襯底之間的距離是比在所述最后光學元件的端面和所述襯底之間的距離還短。

2.根據權利要求1的沉浸曝光裝置，還包括連接到所述出口的流體供應器。

3.根據權利要求1的沉浸曝光裝置，其中所述第二入口被設置成將所述流體從所述容器元件下方移除。

4.根據權利要求1的沉浸曝光裝置，其中所述第一入口、所述出口和所述第二入口中至少一個為凹槽形狀。

5.根據權利要求1的沉浸曝光裝置，其中所述第一入口包括多個同心凹槽。

6.根據權利要求1到5中任一項的沉浸曝光裝置，其中所述容器元件的內側被設置成圍繞在所述最后光學元件之下的所述空間，使得在所述曝光期間，使所述內側與在所述最后光學元件和所述襯底之間的所述空間中的所述沉浸液體接觸。

7.根據權利要求1到5中任一項的沉浸曝光裝置，其中所述出口被設置成在所述容器元件之下提供流體軸承。

8.根據權利要求1到5中任一項的沉浸曝光裝置，其中所述出口被設置成用以供應所述流體，使得所述流體執行了容納所述沉浸液體的動作。

9.一種用于曝光襯底的沉浸曝光方法，其特征在于，所述沉浸曝光方法包括：

將最后光學元件設置在所述襯底上方；

將容器元件設置成圍繞所述最后光學元件；

以所述容器元件將沉浸液體容納于定義在所述襯底和所述最后光學元件之間的空間中；

經由所述容器元件的第一入口將所述沉浸液體從所述容器元件下方移除；

經由所述容器元件的出口將流體供應到所述容器元件下方，所述出口相對于所述空間自所述第一入口輻射地向外設置；以及

經由所述容器元件的第二入口將所述流體從所述容器元件下方移除，所述第二入口相對于所述空間自所述出口輻射地向外設置，

其中所述容器元件具有底部表面，所述底部表面在曝光期間面對所述襯底，所述第一入口被設置在所述底部表面處以將所述沉浸液體從在所述底部表面和所述襯底之間的間隙移除，以及

其中設有所述容器元件，使得在所述曝光期間，在為所述第一入口設置之處的所述底部表面和所述襯底之間的距離是比在所述最后光學元件的端面和所述襯底之間的距離還短。

10.根據權利要求9的沉浸曝光方法，其中所述第二入口將所述流體從所述容器元件下方移除。

11.根據權利要求9的沉浸曝光方法，其中所述出口所供應的所述流體執行了容納所述沉浸液體的動作。

12.根據權利要求10的沉浸曝光方法，其中所述出口所供應的所述流體執行了容納所述沉浸液體的動作。