[發明專利]OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法

在審

• 申請號: 201610220801.8
• 申請日: 2016-04-08
• 公開（公告）號: CN105760036A
• 公開（公告）日: 2016-07-13
• 發明（設計）人: 張少波;鐘汝梅;王進
• 申請（專利權）人: 凱盛信息顯示材料(黃山)有限公司
• 主分類號: G06F3/044
• 分類號: G06F3/044
• 代理公司: 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102
• 代理人: 王琪;王玲霞

技術領域

本發明屬于電子領域，具體是一種OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法。

背景技術

為了消除蝕刻ITO導電膜后的圖案，滿足終端用戶對電子產品的視覺要求，現有的OGS電容觸摸屏篩網ITO導電膜玻璃大多采用Glass/Nb₂O₅/SiO₂/ITO、Glass/Nb₂O₅/SiO₂/BM/ITO或Glass/BM/Nb₂O₅/SiO₂ITO等結構方式，已達到消除蝕刻ITO后形成的陰影的目的，再進行電容觸摸屏的后續制作。上述三種結構方式都是將消影層放在整個電容屏制作工藝之前，需要將消影層與ITO層進行匹配，即：不同的ITO方塊電阻需要匹配不同的消影層，不能兼顧后續OGS的制作，對視窗區和非視窗區的消影效果不能同時兼顧，透過率也受ITO電阻的制約。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是提供一種OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法，該方法使用氧化硅膜層和氮化硅膜層消除了OGS電容觸摸屏貼合的圖案陰影，提高了原有OGS電容觸摸屏的透過率；用氮化硅作為消影層材料，可以改善OGS電容觸摸屏電測不良的情況；將消影層鍍在觸摸屏的最后，可同時起到對OGS電容觸摸屏的保護作用。

為解決上述技術問題，本發明提供了一種OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法，包括以下步驟：

(1)將OGS電容觸摸屏玻璃用純水進行清洗，去除表面浮塵；

(2)在清洗干凈的OGS電容觸摸屏玻璃上依次鍍氧化硅膜層和氮化硅膜層；

所述OGS電容觸摸屏玻璃厚度為0.4～2.0mm；

所述氧化硅膜層厚度為20～60nm；

所述氮化硅膜層厚度為10～40nm。

所述的氧化硅膜層的鍍膜方式采用磁控濺射，中頻孿生靶，鍍膜溫度為100～250℃。

所述的氮化硅膜層的鍍膜方式為磁控濺射，中頻孿生靶，鍍膜溫度為100～250℃。

本發明為OGS電容觸摸屏玻璃提供一種新的消影技術，可以提高電容觸摸屏全黑貼合后的表觀效果；使用氧化硅和氮化硅膜層消除了OGS電容觸摸屏貼合的圖案陰影，可兼顧視窗區域和非視窗區域的消影效果，提高了原有OGS電容觸摸屏的透過率；將消影層鍍在觸摸屏的最后，還起到對OGS電容觸摸屏的保護作用；使用氮化硅作為消影層材料，可以改善OGS電容觸摸屏電測不良的情況。

附圖說明

圖1是本發明制作的帶消影層的OGS電容觸摸屏。

具體實施方式

下面結合附圖和具體實施方式對本發明作進一步說明。

OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法，包括以下步驟：

(1)采用水平清洗線對OGS電容觸摸屏玻璃1進行純水清洗，去除表面浮塵；

(2)采用立式連續磁控濺射鍍膜生產線在清洗干凈的OGS電容觸摸屏玻璃1上依次鍍氧化硅膜層2和氮化硅膜層3，中頻孿生靶，鍍膜溫度設定在100～250℃，傳動節拍為115秒，先使用兩對硅靶鍍氧化硅膜層2，濺射功率為10～17KW，再使用另一對硅靶鍍氮化硅膜層3，濺射功率為5～10KW，氬氣流量100～300scmm，氧氣流量50～300scmm，氮氣流量100～300scmm，真空度在2.5×10^-1～5.5×10^-1Pa之間，依次將氧化硅膜層2和氮化硅膜層3鍍在OGS電容觸摸屏玻璃1上，所獲得的氧化硅膜層2厚度為20～60nm，氮化硅膜層3厚度為10～40nm，所獲得的增加消影層的OGS電容觸摸屏玻璃1的透過率為91.5％(550nm處)。

本實施例制得的消影層結構，提高了OGS電容觸摸屏的消影效果，提高了透光率，降低了反射率。