[發明專利]OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法在審
| 申請號: | 201610220801.8 | 申請日: | 2016-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN105760036A | 公開(公告)日: | 2016-07-13 |
| 發明(設計)人: | 張少波;鐘汝梅;王進 | 申請(專利權)人: | 凱盛信息顯示材料(黃山)有限公司 |
| 主分類號: | G06F3/044 | 分類號: | G06F3/044 |
| 代理公司: | 蚌埠鼎力專利商標事務所有限公司 34102 | 代理人: | 王琪;王玲霞 |
| 地址: | 245400 安徽省黃山市*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | ogs 電容 觸摸屏 后消影 鍍膜 方法 | ||
1.OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法,其特征在于,包括以下步驟:
(1)將OGS電容觸摸屏玻璃用純水進行清洗,去除表面浮塵;
(2)在清洗干凈的OGS電容觸摸屏玻璃上依次鍍氧化硅膜層和氮化硅膜層;
所述OGS電容觸摸屏玻璃厚度為0.4~2.0mm;
所述氧化硅膜層厚度為20~60nm;
所述氮化硅膜層厚度為10~40nm。
2.如權利要求1所述的OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法,其特征在于:所述的氧化硅膜層的鍍膜方式采用磁控濺射,中頻孿生靶,鍍膜溫度為100~250℃。
3.如權利要求1或2所述的OGS電容觸摸屏的后消影鍍膜方法,其特征在于:所述的氮化硅膜層的鍍膜方式為磁控濺射,中頻孿生靶,鍍膜溫度為100~250℃。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于凱盛信息顯示材料(黃山)有限公司,未經凱盛信息顯示材料(黃山)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201610220801.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





