[發(fā)明專利]一種揮發(fā)性有機(jī)廢氣的處理工藝及其處理設(shè)備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610220107.6
• 申請日: 2016-04-11
• 公開（公告）號(hào): CN105709559A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 解富遠(yuǎn);鐘范
• 申請（專利權(quán)）人: 惠州市盛和化工有限公司
• 主分類號(hào): B01D53/00
• 分類號(hào): B01D53/00;F23G7/04
• 代理公司: 惠州市超越知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44349
• 代理人: 魯慧波

1.一種揮發(fā)性有機(jī)廢氣的處理設(shè)備，其特征在于，所述處理設(shè)備包括第一處理器、第二處理器、尾氣進(jìn)氣管、尾氣出氣管、氮?dú)庋h(huán)管道、氣化器、收集池和尾氣管鼓風(fēng)機(jī)，所述氮?dú)庋h(huán)管道至少部分位于所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)部，所述未置于所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)部的氮?dú)庋h(huán)管道上連通有進(jìn)氣口和出氣口，所述出氣口上安裝有氣化器，所述第一處理器和所述第二處理器的下端都設(shè)有尾氣進(jìn)氣管，所述尾氣進(jìn)氣管上連通有尾氣鼓風(fēng)機(jī)，所述第一處理器和所述第二處理器的上端都設(shè)有尾氣出氣管，所述第一處理器和所述第二處理器分別通過管道連通收集池，所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)部分別設(shè)有熱吹風(fēng)裝置。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述第一處理器和所述第二處理器上分別都設(shè)有煙囪。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述尾氣進(jìn)氣管上設(shè)有進(jìn)氣閥，所述尾氣出氣管上設(shè)有出氣閥。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備，其特征在于，所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)壁都固接有吸附板，且所述吸附板表面為網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。

5.一種利用權(quán)利要求1所述的處理設(shè)備對揮發(fā)性有機(jī)廢氣的處理工藝，其特征在于，所述處理工藝包括：將有機(jī)廢氣通過尾氣鼓風(fēng)機(jī)從尾氣進(jìn)氣管分別通入所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)部，將深冷氮?dú)庾⑷胨龅獨(dú)庋h(huán)管道內(nèi)部，所述深冷氮?dú)庠谒龅谝惶幚砥骱退龅诙幚砥鲀?nèi)部與所述深冷氮?dú)膺M(jìn)行熱交換，當(dāng)有機(jī)廢氣溫度降至凝固點(diǎn)以下時(shí)，形成有機(jī)廢物，并附著在所述第一處理器和所述第二處理器內(nèi)壁，熱交換后的所述深冷氮?dú)鈴某鰵饪谂懦觯瑹峤粨Q后，開啟所述熱吹風(fēng)裝置，將有機(jī)廢物升溫至熔點(diǎn)以上，并流入收集池中。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理工藝，其特征在于，所述深冷氮?dú)獾臏囟葹?180—-150℃。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的處理工藝，其特征在于，所述熱吹風(fēng)裝置的加熱時(shí)間為0.5-1h。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的處理工藝，其特征在于，所述有機(jī)廢氣通入所述第一處理器和所述第二處理器的速度為30-50cm³/min。