[發(fā)明專利]圖案化薄膜真空蒸鍍裝置及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610215457.3
• 申請日: 2016-04-08
• 公開（公告）號: CN107267926B
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 魏洋;范守善
• 申請（專利權(quán)）人: 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)（深圳）有限公司
• 主分類號: C23C14/28
• 分類號: C23C14/28;C23C14/04;C23C14/50
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，包括真空室及待鍍基底，其特征在于，進(jìn)一步包括：

蒸發(fā)源條帶，包括蒸發(fā)材料及碳納米管膜結(jié)構(gòu)，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)為一載體，該蒸發(fā)材料設(shè)置在該碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面，通過該碳納米管膜結(jié)構(gòu)承載；

激光源，該激光源將激光信號照射至該碳納米管膜結(jié)構(gòu)使碳納米管膜結(jié)構(gòu)的溫度升高后加熱所述碳納米管膜結(jié)構(gòu)表面的蒸發(fā)材料；以及

柵網(wǎng)，包括相對的第一表面及第二表面，該第一表面與該激光源相對且間隔設(shè)置，該蒸發(fā)源條帶能夠沿長度方向通過該激光源與該柵網(wǎng)之間，該柵網(wǎng)的第二表面與該待鍍基底相對設(shè)置，該蒸發(fā)源條帶通過該激光源與該柵網(wǎng)之間的部分與該待鍍基底平行且間隔設(shè)置，

該蒸發(fā)源條帶、待鍍基底、激光源及柵網(wǎng)均設(shè)置在該真空室中。

2.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸發(fā)源條帶、激光源及柵網(wǎng)能夠整體相對于該待鍍基底運(yùn)動。

3.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一蒸發(fā)源條帶驅(qū)動機(jī)構(gòu)，該蒸發(fā)源條帶驅(qū)動機(jī)構(gòu)能夠驅(qū)動該蒸發(fā)源條帶沿長度方向通過該激光源與該柵網(wǎng)之間。

4.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括一待鍍基底驅(qū)動機(jī)構(gòu)，該待鍍基底驅(qū)動機(jī)構(gòu)能夠驅(qū)動該待鍍基底平行于該柵網(wǎng)移動。

5.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括激光源驅(qū)動機(jī)構(gòu)，該激光源驅(qū)動機(jī)構(gòu)能夠驅(qū)動該激光源、柵網(wǎng)及蒸發(fā)源條帶整體平行于該待鍍基底移動。

6.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括將該柵網(wǎng)與該激光源固定連接的柵網(wǎng)支架，該柵網(wǎng)支架垂直于該柵網(wǎng)設(shè)置在該柵網(wǎng)的兩端，該柵網(wǎng)支架包括蒸發(fā)源條帶傳送口，使該蒸發(fā)源條帶沿長度方向從該傳送口通過該激光源與該柵網(wǎng)之間。

7.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，進(jìn)一步包括第一卷軸及第二卷軸，該第一卷軸與該第二卷軸垂直于該蒸發(fā)源條帶的長度方向，并與該激光源固定連接，該蒸發(fā)源條帶一端與該第一卷軸連接，另一端與該第二卷軸連接，并卷繞設(shè)置于該第一卷軸及第二卷軸中的至少一卷軸上。

8.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)的單位面積熱容小于2×10^-4焦耳每平方厘米開爾文，比表面積大于200平方米每克。

9.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該碳納米管膜結(jié)構(gòu)包括一個或相互層疊的多個碳納米管膜，該碳納米管膜包括多個通過范德華力首尾相連的碳納米管。

10.如權(quán)利要求9所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該碳納米管膜中的碳納米管基本平行于該碳納米管膜表面，并沿同一方向延伸。

11.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸發(fā)源條帶的厚度小于或等于100微米。

12.如權(quán)利要求1所述的圖案化薄膜的真空蒸鍍裝置，其特征在于，該蒸發(fā)源條帶與該待鍍基底的間距為1微米～10毫米。