[發(fā)明專利]曝光方法、曝光設備及三維結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610214904.3
• 申請日: 2016-04-08
• 公開（公告）號: CN107272344B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設計）人: 何羽軒
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤

本發(fā)明提供一種曝光方法、曝光設備及三維結構。該曝光方法包括：涂布光可固化材料于基板上；利用光纖提供第一光源進行曝光，使光可固化材料的至少一部分固化，以形成第一光固化材料，其中光纖具有光輸出端，以及朝向光輸出端逐漸縮窄的錐狀部分；以及移除未受到第一光源曝光的光可固化材料，保留第一光固化材料。通過實施本發(fā)明，可大幅降低光輸出面積及三維結構的臨界尺寸。

技術領域

本發(fā)明是有關于一種3D打印技術，且特別是有關于一種曝光方法、曝光設備及其所形成的三維結構。

背景技術

由于具備低成本、工藝簡單等優(yōu)點，近年來3D打印技術廣泛受到設計及制造業(yè)的注目。然而，受限于制作設備的技術能力，所制作的3D結構的臨界尺寸皆為數(shù)十微米的等級，不利于生產(chǎn)微型且精細的產(chǎn)品。

舉例而言，以噴墨式打印(Inkjet Print)工藝所制作的3D結構，最終結構的臨界尺寸受到墨滴的尺寸所限制。再者，以選擇性激光燒結(Selective Laser Sintering)或選擇性激光熔化(Selective Laser Melting)工藝所制作的3D結構，最終結構的臨界尺寸則是受到光源的光束尺寸(beam size)所限制。由于臨界尺寸無法進一步縮小，因而限制了3D打印在微機電系統(tǒng)及打印電子方面的應用。因此，仍有需要對3D打印技術進行改良，以使其具有更小的臨界尺寸。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的一實施例提供一種曝光方法，包括：涂布光可固化材料于基板上；利用光纖提供第一光源進行曝光，使光可固化材料的至少一部分固化，以形成第一光固化材料，其中光纖具有光輸出端，以及朝向光輸出端逐漸縮窄的錐狀部分；以及移除未受到第一光源曝光的光可固化材料，保留第一光固化材料。

本發(fā)明的另一實施例提供一種曝光設備，包括：承載平臺，其中承載平臺用以放置光可固化材料；光源模塊，其中光源模塊包括光纖，其中光纖具有光輸出端，以及朝向光輸出端逐漸縮窄的錐狀部分，且光纖提供光源以對光可固化材料實施曝光步驟；以及控制模塊，控制光纖的移動。

本發(fā)明的又一實施例提供一種三維結構，包括：基板；以及光固化結構，形成于基板上，且其中光固化結構在垂直于基板的上表面的方向具有10μm-1000μm的高度，且固化結構在平行于基板的上表面的方向上具有寬度及長度，其中寬度與長度中的至少其中一個為1nm-100nm。

本發(fā)明實施例的有益效果在于，通過實施本發(fā)明，可大幅降低光輸出面積及三維結構的臨界尺寸。

附圖說明

圖1為本發(fā)明一些實施例的曝光設備的剖面示意圖。

圖2A至圖2B為本發(fā)明一些實施例的曝光方法的工藝剖面示意圖。

圖3為圖2A中區(qū)域R的放大剖面示意圖。

圖4A至圖4E為本發(fā)明一些實施例的曝光方法的工藝剖面示意圖。

圖5A至圖5E為本發(fā)明另一些實施例的曝光方法的工藝剖面示意圖。

圖6A至圖6B為本發(fā)明一些實施例的形成一具有錐狀部分的光纖的工藝剖面示意圖。

附圖標號

100～曝光設備

110～承載平臺

120～光源模塊

130～控制模塊

202～基板

204、204-1、204-2～光可固化材料

204a、204a-1、204a-2、204b-1～光固化材料

206～掩膜

210～光纖