[發(fā)明專利]曝光方法、曝光設(shè)備及三維結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610214904.3
• 申請日: 2016-04-08
• 公開（公告）號: CN107272344B
• 公開（公告）日: 2019-01-04
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 何羽軒
• 申請（專利權(quán)）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 北京三友知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 王濤

1.一種曝光方法，其特征在于，包括：

涂布步驟：涂布一光可固化材料于一基板上；

第一曝光步驟：

形成一圖案化掩膜層于該光可固化材料上；

利用一第一光源對未受到該圖案化掩膜層覆蓋的該光可固化材料進行曝光，以形成一第一光固化材料；以及

移除該圖案化掩膜層；

第二曝光步驟：利用一光纖提供一第二光源進行曝光，使該光可固化材料的至少一部分固化，以形成一第二光固化材料，其中該光纖具有一光輸出端，以及朝向該光輸出端逐漸縮窄的一錐狀部分，且其中利用該光纖提供該第二光源進行曝光是針對該第一光固化材料之外的該光可固化材料實施；以及

移除步驟：移除未受到該第一光源及該第二光源曝光的該光可固化材料，保留該第一光固化材料及該第二光固化材料。

2.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，該光輸出端具有一10nm²-10⁶nm²的光輸出面積。

3.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，該光纖的該錐狀部分的剖面輪廓具有一長度L及一寬度W，其中該長度L與該寬度W的比例L/W的取值范圍為5-20。

4.如權(quán)利要求3所述的曝光方法，其特征在于，該光源具有一波長λ，且該長度L與該波長λ的比例L/λ大于10。

5.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，該光纖具有一第一折射率n1，該光可固化材料具有一第二折射率n2，且該第一折射率與該第二折射率的比例n1/n2的取值范圍為0.9-1.1。

6.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，在曝光該光可固化材料時，該光纖與該光可固化材料的最短距離的取值范圍為0.1nm-100nm。

7.如權(quán)利要求1所述的曝光方法，其特征在于，更包括重復(fù)該涂布步驟、曝光步驟及移除步驟至少1次，以形成一三維結(jié)構(gòu)。