[發明專利]晶圓測試治具、晶圓動態測試治具以及晶圓測試方法有效
| 申請號: | 201610214859.1 | 申請日: | 2016-04-08 |
| 公開(公告)號: | CN107123607B | 公開(公告)日: | 2020-06-09 |
| 發明(設計)人: | 李其昌;洪嘉和;魏嘉生 | 申請(專利權)人: | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 測試 動態 以及 方法 | ||
1.一種晶圓測試治具,其特征在于,包括:
承載盤,經配置以承載部分晶圓,其中所述部分晶圓包括多個芯片且為晶圓的部分,
所述承載盤包括承載底板、框架、定位溝槽、第一側以及相對所述第一側的第二側,所述框架框圍所述承載底板的邊緣,以與所述承載底板共同定義出容置空間,所述部分晶圓設置在所述容置空間內,所述定位溝槽設置在所述第一側并適于容置所述部分晶圓的側緣;
至少一檔板,設置在所述框架的所述第一側上,且與所述框架及所述承載底板共同形成所述定位溝槽;以及
定位機構,設置在所述第二側,并經配置與所述定位溝槽共同夾持所述部分晶圓,所述定位機構包括具有彈性的推抵件,設置在所述第二側。
2.根據權利要求1所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述推抵件凸出于所述第二側。
3.根據權利要求2所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述推抵件包括至少一推抵斜面,所述部分晶圓包括弧形側緣,其適于抵靠所述推抵斜面,使所述推抵件受壓迫而推抵所述部分晶圓往所述第一側移動以與所述定位溝槽卡合。
4.根據權利要求3所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述至少一推抵斜面的數量為多個,所述弧形側緣適于抵靠多個所述推抵斜面的其中之一。
5.根據權利要求1所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述推抵件移動于初始位置以及夾持位置之間。
6.根據權利要求5所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述推抵件包括彼此連接的樞接端以及推抵端,所述樞接端連接所述第二側,當所述推抵件在所述初始位置時,所述推抵端凸出于所述第二側。
7.根據權利要求6所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述部分晶圓適于抵靠所述推抵端,使所述推抵端推抵所述部分晶圓往所述第一側移動以與所述定位溝槽卡合。
8.根據權利要求1所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述定位機構可動地設置在所述框架的所述第二側上。
9.根據權利要求1所述的晶圓測試治具,其特征在于,所述至少一檔板設置在所述框架上以部分覆蓋所述部分晶圓的上表面。
10.一種晶圓測試方法,其特征在于,包括:
提供晶圓測試治具,其中所述晶圓測試治具上承載并固定多個部分晶圓的其中之一,各所述部分晶圓包括多個芯片且為晶圓的部分,其中所述晶圓測試治具包括承載盤以及至少一檔板,所述承載盤上承載所述部分晶圓的其中之一,其中所述承載盤包括承載底板、框架、定位溝槽、定位機構、第一側以及相對所述第一側的第二側,所述框架框圍所述承載底板的邊緣,以與所述承載底板共同定義出容置空間,所述部分晶圓設置在所述容置空間內,所述定位溝槽設置在所述第一側并適于容置所述部分晶圓的側緣,所述至少一檔板設置在所述框架的所述第一側上,且與所述框架及所述承載底板共同形成所述定位溝槽,所述定位機構設置在所述第二側,所述定位機構包括具有彈性的推抵件,設置在所述第二側;以及
對固定在所述晶圓測試治具的所述部分晶圓的其中之一進行晶圓測試。
11.根據權利要求10所述的晶圓測試方法,其特征在于,還包括:
提供所述晶圓;
將所述晶圓切割為所述部分晶圓;以及
將所述部分晶圓的其中之一固定在所述晶圓測試治具上。
12.根據權利要求10所述的晶圓測試方法,其特征在于,所述定位機構將所述部分晶圓的其中之一固定在所述承載盤上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





