[發(fā)明專利]鍺硅異質(zhì)集成三極管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610214756.5
• 申請(qǐng)日: 2016-04-08
• 公開（公告）號(hào): CN105742341A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢偉國(guó)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 太倉(cāng)凱豐電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/10
• 分類號(hào): H01L29/10;H01L29/12;H01L29/737;H01L29/20
• 代理公司: 北京瑞思知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11341
• 代理人: 張建生

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種鍺硅異質(zhì)集成三極管。

背景技術(shù)

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控制電流的半導(dǎo)體器件其作用是把微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把整塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種。1947年12月23日，美國(guó)新澤西州墨累山的貝爾實(shí)驗(yàn)室里，3位科學(xué)家——巴丁博士、布菜頓博士和肖克萊博士在緊張而又有條不紊地做著實(shí)驗(yàn)。他們?cè)趯?dǎo)體電路中正在進(jìn)行用半導(dǎo)體晶體把聲音信號(hào)放大的實(shí)驗(yàn)。3位科學(xué)家驚奇地發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)。這個(gè)器件，就是在科技史上具有劃時(shí)代意義的成果——晶體管。因它是在圣誕節(jié)前夕發(fā)明的，而且對(duì)人們未來(lái)的生活發(fā)生如此巨大的影響，所以被稱為“獻(xiàn)給世界的圣誕節(jié)禮物”。另外這3位科學(xué)家因此共同榮獲了1956年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)。

晶體管促進(jìn)并帶來(lái)了“固態(tài)革命”，進(jìn)而推動(dòng)了全球范圍內(nèi)的半導(dǎo)體電子工業(yè)。作為主要部件，它及時(shí)、普遍地首先在通訊工具方面得到應(yīng)用，并產(chǎn)生了巨大的經(jīng)濟(jì)效益。由于晶體管徹底改變了電子線路的結(jié)構(gòu)，集成電路以及大規(guī)模集成電路應(yīng)運(yùn)而生，這樣制造像高速電子計(jì)算機(jī)之類的高精密裝置就變成了現(xiàn)實(shí)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種具有節(jié)省了成本，提高了功率優(yōu)點(diǎn)的鍺硅異質(zhì)集成三極管。

本發(fā)明的技術(shù)方案是：一種鍺硅異質(zhì)集成三極管，所述的鍺硅異質(zhì)集成三極管包括最外層寬帶隙半導(dǎo)體材料層，中間層聚氯乙烯材料層和最內(nèi)層的鍺硅材料層，所述寬帶隙半導(dǎo)體材料層為氮化鎵、碳化硅和氧化鋅，所述的寬帶隙半導(dǎo)體材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的42-45%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的15%-20%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的35%-40%。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述鍺硅材料層為鍺硅合金。

在本發(fā)明一個(gè)較佳實(shí)施例中，所述的寬帶隙半導(dǎo)體材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的44%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的18%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的38%。

本發(fā)明的一種鍺硅異質(zhì)集成三極管，具有節(jié)省了成本，提高了功率的優(yōu)點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

下面對(duì)本發(fā)明的較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對(duì)本發(fā)明的保護(hù)范圍做出更為清楚明確的界定。

其中，所述的鍺硅異質(zhì)集成三極管包括最外層寬帶隙半導(dǎo)體材料層，中間層聚氯乙烯材料層和最內(nèi)層的鍺硅材料層，所述寬帶隙半導(dǎo)體材料層為氮化鎵、碳化硅和氧化鋅，所述的寬帶隙半導(dǎo)體材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的42-45%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的15%-20%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的35%-40%。

進(jìn)一步說(shuō)明，所述鍺硅材料層為鍺硅合金，所述的寬帶隙半導(dǎo)體材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的44%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的18%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質(zhì)集成三極管總體分量的38%。