[發明專利]鍺硅異質集成三極管在審

申請號：	201610214756.5	申請日：	2016-04-08
公開（公告）號：	CN105742341A	公開（公告）日：	2016-07-06
發明（設計）人：	錢偉國	申請（專利權）人：	太倉凱豐電子科技有限公司
主分類號：	H01L29/10	分類號：	H01L29/10;H01L29/12;H01L29/737;H01L29/20
代理公司：	北京瑞思知識產權代理事務所(普通合伙) 11341	代理人：	張建生
地址：	215400 江蘇省蘇州***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	鍺硅異質集成三極管
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【權利要求書】：

1.一種鍺硅異質集成三極管，其特征在于：所述的鍺硅異質集成三極管包括最外層寬帶隙半導體材料層，中間層聚氯乙烯材料層和最內層的鍺硅材料層，所述寬帶隙半導體材料層為氮化鎵、碳化硅和氧化鋅，所述的寬帶隙半導體材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的42-45%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的15%-20%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的35%-40%。

2.根據權利要求1所述的鍺硅異質集成三極管，其特征在于：所述鍺硅材料層為鍺硅合金。

3.根據權利要求1所述的鍺硅異質集成三極管，其特征在于：所述的寬帶隙半導體材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的44%，所述的聚氯乙烯材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的18%，所述的鍺硅材料層占鍺硅異質集成三極管總體分量的38%。

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