[發明專利]一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法

有效

• 申請號: 201610213734.7
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105742080B
• 公開（公告）日: 2018-02-02
• 發明（設計）人: 王瑋;李長盼;廉佳寧;白一超;楊大偉;王育喬;孫岳明
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01G11/86
• 分類號: H01G11/86;H01M4/36
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙)32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟：

a、在常溫條件下，將鉬酸銨置于去離子水中，充分攪拌均勻，配制得到鉬酸銨水溶液；

b、將二氧化鈦納米棒陣列樣品置于步驟a中所配制的鉬酸銨水溶液中超聲處理10-20 min，取出樣品，隨后采用去離子水浸泡清洗1-3次，并置于烘箱中干燥5-10 min，得到鉬酸銨包覆的一維有序二氧化鈦納米棒陣列；

c、將步驟b中制得的鉬酸銨包覆的一維有序二氧化鈦納米棒陣列置于190 ℃烘箱中反應30-40 min，得到氧化鉬包覆的一維有序二氧化鈦納米棒陣列；

d、將步驟c中所制得的氧化鉬包覆的一維有序二氧化鈦納米棒陣列置于管式氣氛爐中，以硫粉作為硫源，采用化學氣沉積法進行硫化處理30 min，即得到少層二硫化鉬包覆一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料。

2.如權利要求1所述的一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于所述的鉬酸銨水溶液的濃度為0.01-0.10 g/mL。

3.如權利要求1所述的一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于所述的烘箱中干燥，其干燥溫度為60 ℃。

4.如權利要求1所述的一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于所述的以硫粉作為硫源，采用化學氣相 沉積法進行硫化處理，其中硫粉處熱處理溫度為195-200 ℃。

5.如權利要求1所述的一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于所述的以硫粉作為硫源，采用化學氣相 沉積法進行硫化處理，氧化鉬包覆的一維有序二氧化鈦納米棒陣列處的熱處理溫度為500-550 ℃。

6.如權利要求1所述的一種一維有序二氧化鈦納米棒陣列復合材料的制備方法，其特征在于所述的管式氣氛爐，從室溫到設定熱處理溫度的升溫速率為5-10 ℃/min。