[發明專利]一種可以提升PM?OLED面板生產效率的OLED器件

有效

• 申請號: 201610212940.6
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105789466B
• 公開（公告）日: 2018-01-30
• 發明（設計）人: 李崇;張兆超;吳正宜
• 申請（專利權）人: 江蘇三月光電科技有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 無錫華源專利商標事務所(普通合伙)32228
• 代理人: 馮智文,聶啟新

1.一種可以提升PM-OLED面板生產效率的OLED器件，由透明基板(1)、透明陽極(2)、緩沖層(3)、空穴注入層(4)、空穴傳輸層(5)、發光層(6)、電子傳輸層(7)、電子注入層(8)、反射金屬陰極(9)順次疊加而成，其特征在于：

所述反射金屬陰極(9)的一端與透明陽極(2)連接；

所述空穴注入層(4)由基于三苯胺的材料組成，厚度為80～190nm；

所述空穴傳輸層(5)由基于三芳香胺材料組成，厚度為20～120nm；

所述空穴注入層(4)與空穴傳輸層(5)的總厚度不變的情況下，改變空穴注入層(4)與空穴傳輸層(5)厚度比例，膜厚比例調整之后的器件性能不低于改變之前的器件性能；

所述空穴注入層(4)由材料SPTB即N,N′-二(苯基)-N,N′-二(4′-N,N-二(苯基胺基)-4-聯苯基)聯苯胺組成，SPTB的空穴遷移率大于1.0E-4cm²·V^-1·s^-1，HOMO能級為5.1～5.4eV；

所述空穴傳輸層(5)由材料SFBF即N-(2-(1,1'-聯苯基))-N-(2-(9,9-二甲基-9H-芴基))-2-(9,9'-螺二芴基)胺組成，SFBF的空穴遷移率大于1.0E-3cm²·V^-1·s^-1，HOMO能級為5.3～5.6eV。

2.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于所述透明基板(1)為透明玻璃或塑料；所述透明陽極(2)為具有高功函數的透明氧化物或金屬薄膜；所述緩沖層(3)為HAT-CN；所述電子傳輸層(7)為常規ETL材料；所述電子注入層(8)為常規EIL材料；所述反射金屬陰極(9)為Al或Mg/Ag合金。

3.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于所述器件為單發光層器件或雙發光層器件。

4.根據權利要求1或3所述的OLED器件，其特征在于所述器件為單發光層器件時，所述發光層(6)由主體材料和摻雜劑組成，在主體材料中摻入磷光或者熒光摻雜劑，所述摻雜劑的發光波長為450～620nm，摻雜濃度為0.5～15wt％；所述發光層(6)的厚度為5～35nm。

5.根據權利要求1或3所述的OLED器件，其特征在于所述器件為白光雙發光層器件時，所述發光層(6)由藍光層和黃光層疊加，所述藍光層中具有450～470nm發光波長的藍色磷光或者熒光摻雜劑，摻雜劑的摻雜量為5～10wt％，藍光層的厚度為5～15nm；所述黃光層中具有540～560nm發光波長的黃色磷光或者熒光摻雜劑，摻雜劑的摻雜量為5～15wt％，黃光層的厚度為15～25nm。

6.根據權利要求1所述的OLED器件，其特征在于所述器件的制備方法為：

(a)在透明基板(1)上采用常規方法制作陽極材料，并用常規方法制作陽極圖案，即透明陽極(2)；

(b)在透明陽極(2)上依次用熱蒸鍍的方法制作緩沖層(3)、空穴注入層(4)、空穴傳輸層(5)、發光層(6)、電子傳輸層(7)、電子注入層(8)；

(c)在電子注入層(8)上用電子槍制作反射金屬陰極(9)，保證金屬陰極(9)與透明陽極(2)相連接；

(d)經過常規方法封裝，即可制得所述OLED器件。