[發(fā)明專利]一種帶檢測模塊的智能腔體耦合器及其制造方法

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• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號: CN105789807A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發(fā)明（設計）人: 王建國;郭勝光;胡文博
• 申請（專利權）人: 西安澳通電訊技術股份有限公司
• 主分類號: H01P5/12
• 分類號: H01P5/12;H01P11/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

【技術領域】

本發(fā)明涉及移動通信室內覆蓋、物聯(lián)網領域，尤其涉及帶有檢測模塊的智 能腔體耦合器及其實現方法。

【背景技術】

腔體耦合器，一種用于按需分配有線射頻信號的設備，是移動通信室內覆 蓋系統(tǒng)中的核心無源器件，其工作頻率從800MHZ～2700MHZ，移動通信信號通 過腔體耦合器分配到室內各天線上，從而實現室內移動通信信號二次覆蓋，解 決室內通信信號質量差的問題。

現有的腔體耦合器，僅僅只是作為室內信號分配所用，不具備檢測功能， 即無法對室內分布系統(tǒng)的各個節(jié)點信號功率、駐波比、節(jié)點之間的損耗，進行 后續(xù)的定期檢測和精確測量。整個系統(tǒng)在安裝覆蓋之后，無法實現智能化、可 控化管理，這就無法解決后期的實時監(jiān)測、維護、巡檢、故障排除等技術問題。

【發(fā)明內容】

本發(fā)明針對以上情況提出了一種智能腔體耦合器，在腔體耦合器中加裝了 檢測模塊，利用超高頻RFID封裝芯片的反射信號RSSI和唯一地址碼特性，通 過系統(tǒng)主機軟件算法實現了在線檢測和物聯(lián)功能，實現了移動通信室內分布系 統(tǒng)的各個節(jié)點信號功率、駐波比、節(jié)點之間的損耗精確測量。

本發(fā)明所涉及的帶檢測模塊的智能腔體耦合器，包括耦合器腔體、輸入端 口、輸出端口、耦合端口、直通桿、耦合桿、耦合桿功率吸收負載、聚四氟乙 烯定位塊、耦合度調節(jié)桿、兩個正向定向檢測模塊和兩個反向定向檢測模塊； 其中輸入端口、輸出端口和耦合端口分別固定在耦合器腔體上，在輸入端口和 輸出端口之間設有直通桿，該直通桿的兩端分別與輸入端口和輸出端口錫焊焊 接；而耦合端口和耦合桿功率吸收負載之間通過耦合桿錫焊焊接；耦合桿功率 吸收負載另一端與耦合器腔體固定接地；耦合度調節(jié)桿固定在腔體側壁上；輸 入端口正向定向檢測模塊、輸出端口反向定向檢測模塊分別固定在直通桿同一 側腔體底板上，耦合端口正向定向檢測模塊、耦合端口反向定向檢測模塊分別 固定在耦合桿兩側的腔體底板上。

其中的輸入端口正向定向檢測模塊、輸出端口反向定向檢測模塊、耦合端 口正向/反向定向檢測模塊均包括F型耦合天線、窄帶帶通濾波器、RFID封裝芯 片、50歐姆吸收電阻組成。F型耦合天線定向耦合需要檢測的輸入或者反射信 號，輸送到窄帶帶通濾波器濾波后，激勵RFID封裝芯片，如果RFID封裝芯片 被激活，會反射對應的信號回傳。

腔體耦合器輸入端口至輸出端口之間的直通桿同一側放置的兩個正、反向 定向檢測模塊分別用于檢測輸入端口的正向檢測信號和輸出端口的反向檢測信 號，腔體耦合器耦合端口的耦合桿兩側放置的兩個正、反向定向檢測模塊分別 用于檢測耦合端口的正向檢測信號和耦合端口的反向檢測信號。

輸入端口正向定向檢測模塊、輸出端口反向定向檢測模塊通過無磁性螺絲 和定位柱分別固定在直通桿同一側腔體底板上，輸入端口正向定向檢測模塊靠 近輸入端口，而輸出端口反向定向檢測模塊靠近輸出端口。

耦合端口正向定向檢測模塊、耦合端口反向定向檢測模塊通過無磁性螺絲 和定位柱分別固定在耦合桿兩側的腔體底板上。

該直通桿通過聚四氟乙烯定位塊定位，耦合桿通過聚四氟乙烯塊定位。

耦合度調節(jié)桿由無頭螺絲和聚四氟乙烯圓柱構成并通過無頭螺絲固定在腔 體的側壁上。

一種帶檢測模塊的智能腔體耦合器制造方法，其特征在于包括以下步驟：

耦合器腔體壓鑄成型，用N型頭座固定在耦合器腔體上，制成輸入端口、 輸出端口以及耦合端口；

直通桿和耦合桿定位后分別與N型頭座制成的端口用焊錫焊接；其中，直 通桿兩端錫焊連接輸入端口和輸出端口，而耦合桿錫焊連接耦合端口和耦合桿 功率吸收負載；

輸入端口與輸出端口之間的直通桿的同一側分別放置的一個輸入端口正向 定向檢測模塊和一個輸出端口反向定向檢測模塊；

耦合端口的耦合桿兩側固定設置了一個耦合端口正向定向檢測模塊和一個 耦合端口反向定向檢測模塊；

兩個正向定向檢測模塊與兩個反向定向檢測模塊分別通過定位柱和無磁性 螺絲固定在腔體內底板上；

用無磁性螺絲上好腔體蓋板后，通過耦合度調節(jié)桿微小調整耦合器的耦合 度，得到帶檢測模塊的智能腔體耦合器。

該耦合器腔體壓鑄成型，耦合器腔體內部鍍銀，將N型頭座用無磁性螺絲 固定在耦合器腔體上。