[發明專利]一種集成SIP系統封裝架構

在審

• 申請號: 201610210959.7
• 申請日: 2016-04-07
• 公開（公告）號: CN105789198A
• 公開（公告）日: 2016-07-20
• 發明（設計）人: 喻明凡
• 申請（專利權）人: 無錫矽瑞微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L25/16
• 分類號: H01L25/16;H01L23/367;H01L23/31
• 代理公司: 江蘇英特東華律師事務所 32229
• 代理人: 朱清韻

1.一種高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的封裝結構包括第一基島、第二基島和 導熱焊盤，所述的第一基島和第二基島相互平行，所述的導熱焊盤設置于所述的第一基島 和第二基島下方，所述的第一基島上隔離排布有三顆MOS管和MCU芯片，所述的第二基島上 隔離排布有三顆MOS管，各個所述的MOS管與封裝結構的外接頭通過鍵合絲相連接。

2.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的封裝結構還包括塑 封體，所述的第一基島、第二基島均設置于所述的塑封體內。

3.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的鍵合絲包括鍵合絲 基體和包裹于所述的鍵合絲基體外的鍵合絲鍍層。

4.根據權利要求3所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的鍵合絲基體為銅絲 基體，所述的鍵合絲鍍層為金鍍層或鉑鍍層。

5.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的鍵合絲為直徑28~35 μm的鍵合絲。

6.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的封裝結構還包括兩 個彼此平行設置的基島支架，所述的第一基島和第二基島分別通過一基島支架設置于所述 的導熱焊盤上。

7.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的第一基島、第二基島 均為矩形，所述的導熱焊盤為圓形或矩形，所述的封裝結構的外接頭排布于所述的導熱焊 盤四周。

8.根據權利要求1所述的高密度SIP封裝結構，其特征在于，所述的MOS管和MCU芯片分 別粘結于所述的第一基島和第二基島上。