[發明專利]稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法有效
| 申請號： | 201610210217.4 | 申請日： | 2016-04-06 |
| 公開（公告）號： | CN105671629B | 公開（公告）日： | 2018-10-02 |
| 發明（設計）人： | 杭寅;徐民;張連翰 | 申請（專利權）人： | 中國科學院上海光學精密機械研究所 |
| 主分類號： | C30B15/34 | 分類號： | C30B15/34;C30B29/22 |
| 代理公司： | 上海新天專利代理有限公司 31213 | 代理人： | 張澤純;張寧展 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 稀土 氧化物 激光 晶體 導模法 生長 方法 | ||
1.一種稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法，其特征在于，包括如下步驟：
①裝爐：將原料置于導模爐的坩堝中，安裝導模、籽晶、溫場，并密封爐膛通入保護性氣氛氣體,該保護性氣氛氣體為Ar+H2或Ar+CO，所述溫場的溫度梯度為5～40℃/cm；
②熔料：加熱升溫將原料全部熔化形成熔體，并過熱10～30℃，恒溫0.5～2小時后，將熔體降溫至原料全部熔化時的溫度；
③生長：將籽晶緩慢搖下，與導模中的熔體液面接觸成為一體，停留3～5min后開啟提拉機構，升溫使籽晶直徑收細，逐漸降低導模表面溫度進行放肩，當晶體覆蓋整個導模表面時結束放肩，進行等徑生長，待晶體生長至所需尺寸時，提拉晶體脫離熔體液面，完成生長，整個過程晶體提拉速率調節為1～50mm/h；
④冷卻：晶體生長完畢后，對晶體降溫冷卻至室溫，晶體降溫冷卻速率為20～200℃/h。
2.如權利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法，其特征在于，所述晶體的化學式為(LnxRe1-x)2O3，其中0<x<0.5,Ln＝Yb、Nd、Dy、Ho、Er、Tm或Pr，Re＝Y、Sc、Lu或Gd。
3.如權利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法，其特征在于，所述步驟①中的導模和坩堝需為耐高溫的鎢、錸、鎢錸合金或鎢鉬合金材料。
4.如權利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法，其特征在于，所述步驟②中的加熱方式為射頻感應加熱或電阻加熱。
5.如權利要求1所述的稀土倍半氧化物激光晶體的導模法生長方法，其特征在于，所述步驟③中的籽晶方向為(LnxRe1-x)2O3任意結晶學方向。
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