[發明專利]薄膜晶體管及其制造方法、驅動電路和顯示裝置

有效

• 申請號: 201610209654.4
• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號: CN107275408B
• 公開（公告）日: 2020-03-10
• 發明（設計）人: 許嘉哲
• 申請（專利權）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336;G09G3/3225
• 代理公司: 上海隆天律師事務所 31282
• 代理人: 臧云霄;鐘宗

本發明實施例提供了薄膜晶體管及其制造方法、驅動電路和顯示裝置，該薄膜晶體管包括襯底；以及至少三個柵極，設置在所述襯底上，其中至少兩個柵極在垂直于襯底方向上至少部分重疊；具有該薄膜晶體管的驅動電路中第一柵極被配置為控制柵，所述第二柵極被配置為浮動柵，所述第三柵極被配置為選擇柵，所述選擇柵的電壓小于所述控制柵的電壓。本發明能夠減小關斷漏電流，提升影像品質。

技術領域

本發明涉及半導體技術，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、驅動電路和顯示裝置。

背景技術

目前，雙柵極晶體管與單柵極晶體管相比具有門限電壓(Vth)較大，漏電流較低的特點，會發生柵誘導漏極泄漏電流(GIDL，Gate Induced Drain Leakage，對MOSFET的可靠性影響較大)。而一般GOA操作(GOA技術是將Gate Driver IC集成在Array玻璃襯底上，即去除Gate Driver IC用TFT布線組成柵極電路形成GOA單元，實現Gate Driver IC的驅動功能。)電壓介于-7.0(ON State)～6.5V(OFF State)。因雙柵極晶體管在關閉狀態下，關斷漏電流偏高，進而影響數據線電壓V_data灰階影像訊號不穩定，導致例如：影像對比變差，色偏......等不良影像質量的發生。

發明內容

針對現有技術中的缺陷，本發明的目的在于提供一種薄膜晶體管及其制造方法、驅動電路和顯示裝置能夠使GIDL效應所造成的關斷漏電流減小，使得灰階影像訊號穩定，提升整體影像品質。

根據本發明的一個實施例，提供一種薄膜晶體管，包括：襯底；以及至少三個柵極，設置在所述襯底上，其中至少兩個柵極在垂直于襯底方向上至少部分重疊。

根據本發明的另一個實施例，還提供一種薄膜晶體管的制造方法，制造上述的薄膜晶體管，包括以下步驟：

提供一襯底；

形成一半導體層于所述襯底之上；

形成一第一絕緣層于所述半導體層之上，圖案化所述第一絕緣層，形成多個第一通孔，暴露出部分所述半導體層；

形成一第一介電層于所述第一絕緣層之上，圖案化所述第一介電層，形成多個與所述第一通孔對應的第二通孔，暴露出部分所述半導體層；

形成一第一金屬層于所述第一介電層之上，圖案化所述第一金屬層形成第一柵極和第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極分別與所述半導體層在垂直于襯底方向重疊；

形成一第二介電層于所述第一金屬層之上，圖案化所述第二介電層，形成多個與所述第一通孔對應的第三通孔，暴露出部分所述半導體層；及第四通孔，暴露出部分所述第一柵極；

形成一第三柵極于所述第二介電層之上，所述第三柵極與所述第二柵極在垂直于襯底方向重疊；

形成一第二絕緣層，圖案化所述第二絕緣層，形成多個與所述第三通孔對應的第五通孔，暴露出部分所述半導體層；與第四通孔對應的第六通孔，暴露出部分所述第一柵極；第七通孔，所述第七通孔暴露出部分所述第三柵極；

形成一源極和一漏極，通過所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔和所述第五通孔分別連接所述半導體層；以及

形成一公共電極，通過所述第七通孔連接所述第三柵極，并且通過所述第四通孔和第六通孔連接所述第一柵極。

根據本發明的另一個實施例，還提供一種驅動電路，包括：至少一個如上述的薄膜晶體管。

根據本發明的另一個實施例，還提供一種顯示裝置，包括至少一個如上述的薄膜晶體管和/或至少一個如上述的驅動電路。

本發明的薄膜晶體管及其制造方法、驅動電路和顯示裝置能夠使GIDL效應所造成的關斷漏電流減小，使得灰階影像訊號穩定，提升整體影像品質。