[發(fā)明專(zhuān)利]薄膜晶體管及其制造方法、驅(qū)動(dòng)電路和顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610209654.4
• 申請(qǐng)日: 2016-04-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN107275408B
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-03-10
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 許嘉哲
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海和輝光電有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L29/786
• 分類(lèi)號(hào): H01L29/786;H01L29/423;H01L21/28;H01L21/336;G09G3/3225
• 代理公司: 上海隆天律師事務(wù)所 31282
• 代理人: 臧云霄;鐘宗

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底；以及

至少三個(gè)柵極，設(shè)置在所述襯底上，其中至少兩個(gè)柵極在垂直于襯底方向上至少部分重疊；

所述薄膜晶體管是頂柵結(jié)構(gòu)或底柵結(jié)構(gòu)；

還包括：

一半導(dǎo)體層，設(shè)置于所述襯底之上；

一第一絕緣層，設(shè)置于所述半導(dǎo)體層之上，包括其中設(shè)置的多個(gè)第一通孔，暴露出部分所述半導(dǎo)體層；

一第一介電層，設(shè)置于所述第一絕緣層之上，包括其中設(shè)置的多個(gè)與所述第一通孔對(duì)應(yīng)的第二通孔，暴露出部分所述半導(dǎo)體層；

一第一金屬層，設(shè)置于所述第一介電層之上，所述第一金屬層包括第一柵極和第二柵極，所述第一柵極和所述第二柵極分別與所述半導(dǎo)體層在垂直于襯底方向重疊；

一第二介電層，設(shè)置于所述第一金屬層之上，包括：其中設(shè)置的多個(gè)與所述第一通孔對(duì)應(yīng)的第三通孔，暴露出部分所述半導(dǎo)體層；及其中設(shè)置的第四通孔，暴露出部分所述第一柵極；

一第三柵極，設(shè)置于所述第二介電層之上，所述第三柵極與所述第二柵極在垂直于襯底方向重疊；

一第二絕緣層，包括：其中設(shè)置的多個(gè)與所述第三通孔對(duì)應(yīng)的第五通孔，暴露出部分所述半導(dǎo)體層；其中設(shè)置與第四通孔對(duì)應(yīng)的第六通孔，暴露出部分所述第一柵極；其中設(shè)置的第七通孔，所述第七通孔暴露出部分所述第三柵極；

一源極和一漏極，通過(guò)所述第一通孔、所述第二通孔、第三通孔和第五通孔分別連接所述半導(dǎo)體層；以及

一公共電極，通過(guò)所述第七通孔連接所述第三柵極，并且通過(guò)所述第四通孔和第六通孔連接所述第一柵極。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二柵極在所述襯底的投影面積小于所述第三柵極在所述襯底的投影面積。

3.如權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三柵極在所述襯底的投影面積是所述第二柵極在所述襯底的投影面積的1.1倍。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第三柵極與所述半導(dǎo)體層在垂直于襯底方向至少部分重疊。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述半導(dǎo)體層的材料是多晶硅層。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述第二絕緣層的材料是氮化硅與一氧化硅的摻雜。

7.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括一緩沖層，形成于所述襯底與所述半導(dǎo)體層之間。

8.如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述緩沖層包括一氮化硅層以及一一氧化硅層，所述一氧化硅層位于所述氮化硅層之上。