[發明專利]花生全苗壯苗栽培方法

有效

• 申請號: 201610208424.6
• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號: CN105766345B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 趙海霞;吉明發
• 申請（專利權）人: 淮安市農業技術推廣中心
• 主分類號: A01G22/40
• 分類號: A01G22/40;A01G13/00
• 代理公司: 淮安市科翔專利商標事務所 32110
• 代理人: 韓曉斌

本發明屬于農業栽培技術領域，公開了花生全苗壯苗栽培方法，該栽培方法的實施步驟包括選種拌種、定量施肥、精耕細整、起壟開槽、播種覆膜、及時放苗、綜合防控。本發明在壟上溝槽兩邊以正三角形挖穴各播一粒健康、飽滿的花生種子，實現適當增密和增加株距，并通過單壟做成雙子壟地膜覆蓋，在壟中間溝槽中定量施用氮肥，花生種子萌發出苗初期充分利用膜下蒸發的水分保墑，增強溝槽中氮肥利用率，加大光照和積溫，促進生根發棵，解決現有技術中花生出苗不能全苗、苗期不壯和一穴雙株而株距太近爭肥爭光爭空間的問題，實現花生全苗壯苗，提高產量。

技術領域

本發明涉及農業栽培技術領域，具體涉及一種花生全苗壯苗栽培方法。

背景技術

花生是我國重要的經濟作物和油料作物，含有豐富的蛋白質和脂肪，其營養價值高且用途廣泛。花生雖是喜旱怕澇作物，但沒有適量的水分，花生種子不能正常萌發生長，有的因墑情不足、缺少水分，剛出芽的兩片子葉就失水枯死，因此田塊保墑顯得非常重要，而且還必須要求充足的光照和足夠的積溫，才能保證花生正常生長。

傳統的花生栽培方式主要有三種：一是平地種植，包括露天平地種植和覆膜平地種植，這種栽培方式雨天極易造成澤害，而且不易有足夠積溫、根部沒有充足的光照，干旱時露天種植跑墑嚴重，而種植花生的田塊是旱田，周邊大多缺少水源，田中水分很難滿足花生正常生長的需要。二是起壟露天種植，這種栽培方式極易造成肥水缺失，不易有足夠的積溫，而且容易造成壟面地塊板結，不利于花生花期下針。三是起壟覆膜種植，這種壟一般都是拱形壟，雖有較強的光照和較高的積溫，但單壟種植單行花生，花生正好處在壟的正中位置，白天從地下蒸發的水汽在地膜下凝成的水珠集聚多了或晚間降溫時就沿著地膜下表面慢慢地流向壟的兩邊落在壟邊的土上，導致水分不能有效的利用，有的種子不能萌發出苗；肥料大多呈固態沒有溶解，利用率不高，不能滿足花生初期生長的需要；種子雖有足夠的溫度，但沒有足夠的水分不能萌發或萌發后不能正常生長，導致有高溫爛種燒苗現象；一壟種植雙行花生，在花生生長初期，因固體肥料沒有得到有效利用，營養生長缺乏強勁的活力。

田塊跑墑現象造成墑情不足，制約著花生全苗；花生苗期的肥料利用率低，制約著花生壯苗；光照不足和積溫不夠，制約著花生生根發棵；露天種植田塊板結，制約著花生的花針下扎；傳統一穴雙珠種植花生，種子萌發出苗后爭肥爭光爭空間，制約著花生的產量。這些因素都制約著花生的種植效益。

發明內容

針對上述現有技術存在的問題，本發明提供一種花生全苗壯苗栽培方法，既保持必要的墑情、保證充足的光照和足夠的積溫，又能提高肥料利用率和適當增加播種的密度，實現花生全苗壯苗和高產。

為了達到上述目的，本發明的技術解決方案是該栽培方法包括選種拌種、定量施肥、精耕細整、起壟開槽、播種覆膜、及時放苗和綜合防控；地塊南北走向起壟，單壟做成雙子壟，其橫截面呈兩個相連的小半圓形，壟高15cm，壟寬 55cm，相鄰兩壟間距70cm，兩壟之間開溝，溝寬15cm深10cm，每壟正中間開10cm寬10cm深的溝槽；當地膜下5cm深土層溫度穩定在12℃以上開始播種，在壟中間溝槽的兩邊壟上呈正三角形各挖三穴，三角形穴其中兩穴離壟中間溝槽5cm，另一穴在該子壟的另一側，三穴呈正三角形排列，三穴各相距15cm；靠近壟中間溝槽的穴呈直線排列，每個相鄰的穴距離15cm；穴在溝槽兩邊呈對稱排列，穴深度5cm；在每穴中種植一?；ㄉN子，播種深度5cm，播種后用疏松土蓋穴；噴施除草劑與覆膜前在每個三角形靠近壟中間溝槽兩個穴中間位置的溝槽內施用45kg/hm²尿素，施肥深度10cm，施肥后蓋上3-5cm厚的土層；穴里種植的種子與尿素橫向與縱向都相隔5cm以上的距離，種子在上面，尿素在下面，保證尿素不燒種子；春花生先播種后覆膜，夏花生先覆膜后打孔播種；使用0.004mm厚、90cm寬超微可降解地膜覆蓋，在壟中間溝槽沒有施肥處間斷地蓋上壓膜土，使地膜緊貼壟的弧形地面，用土壓實地膜四周與孔穴處。

上述栽培方法的具體步驟如下：