[發明專利]花生全苗壯苗栽培方法

有效

• 申請號: 201610208424.6
• 申請日: 2016-04-06
• 公開（公告）號: CN105766345B
• 公開（公告）日: 2018-12-25
• 發明（設計）人: 趙海霞;吉明發
• 申請（專利權）人: 淮安市農業技術推廣中心
• 主分類號: A01G22/40
• 分類號: A01G22/40;A01G13/00
• 代理公司: 淮安市科翔專利商標事務所 32110
• 代理人: 韓曉斌

1.花生全苗壯苗栽培方法，該栽培方法包括選種拌種、定量施肥、精耕細整、起壟開槽、播種覆膜、及時放苗和綜合防控，其特征在于該栽培方法包括以下具體步驟：

（1）選種拌種：選用早中熟、優質、抗病、抗逆性品種；播前，將帶殼的種子在晴好天氣日曬2-3天，剝殼后選健康、飽滿的籽粒作為種子，每千克種子用質量濃度50%多菌靈可濕性粉劑3g兌水300g和質量濃度60%的吡蟲靈懸浮劑1ml兌水 3ml拌種，晾干；

（2）定量施肥：田塊耕整前，每公頃用腐熟的家用有機肥15000kg、氮磷鉀總含量≥45%花生專用肥1500kg、尿素105kg、含硼、鉬、鐵、鋅、錳微量元素的花生專用微肥15kg作基肥均勻撒施；

（3）精耕細整：播種前結合基施肥旋耕田塊20cm深，土壤耙平整細疏松，不留雜草，土壤手抓成團，在一米高處自然落下即散，是花生播種適宜的墑情；

（4）起壟開槽：地塊南北走向起壟，單壟做成雙子壟，其橫截面呈兩個相連的小半圓形，壟高15cm，壟寬 55cm，相鄰兩壟間距70cm，兩壟之間開溝，溝寬15cm深10cm，每壟正中間開10cm寬10cm深的溝槽；

（5）播種覆膜：當地膜下5cm深土層溫度穩定在12℃以上開始播種，在壟中間溝槽的兩邊壟上呈正三角形各挖三穴，三角形穴其中兩穴離壟中間溝槽5cm，另一穴在該子壟的另一側，三穴呈正三角形排列，三穴各相距15cm；靠近壟中間溝槽的穴呈直線排列，每個相鄰的穴距離15cm；穴在溝槽兩邊呈對稱排列，穴深度5cm；在每穴中種植一粒花生種子，播種深度5cm，播種后用疏松土蓋穴；噴施除草劑與覆膜前在每個三角形靠近壟中間溝槽兩個穴中間位置的溝槽內施用45kg/hm²尿素，施肥深度10cm，施肥后蓋上3-5cm厚的土層；穴里種植的種子與尿素橫向與縱向都相隔5cm以上的距離，而且種子在上面，尿素在下面，保證尿素不燒種子；春花生先播種后覆膜，夏花生先覆膜后打孔播種；使用0.004mm厚、90cm寬超微可降解地膜覆蓋，在壟中間溝槽沒有施肥處間斷地蓋上壓膜土，使地膜緊貼壟的弧形地面，用土壓實地膜四周與孔穴處；

（6）及時放苗：當出苗后在早晨9點鐘前或下午16點鐘后及時破膜放苗，并用土沿著花生苗根莖周圍壓實地膜；

（7）綜合防控：在覆蓋地膜前噴施除草劑，用質量濃度75%乙草胺乳液1125-1500ml/hm²兌水 600kg對壟面均勻噴施，覆膜后在壟間溝裸露的地面再噴施一次除草劑；當花生植株有旺長趨勢時，使用多效唑或烯效唑噴施；在花生植株生長過程中根據病害對癥施藥。

2.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：當花生植株長到30-40cm有旺長趨勢時，用質量濃度15%多效唑0.75kg/hm²稀釋300倍液或烯效唑0.6kg/hm²兌水450kg噴施。

3.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：在銹病發病初期或在開花下針期用質量濃度75%百菌清800倍液或質量濃度65%代森鋅400倍液噴施防治。

4.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：在葉斑病發病初期用質量濃度70%托布津可濕性粉劑1000倍液900-1125kg/hm²噴施防治。

5.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：在青枯病發病初期用質量濃度72%農用硫酸鏈霉素4000倍液和氧氯化銅800倍液灌根防治。

6.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：在紋枯病發病前用井岡霉素600倍液噴施防治。

7.根據權利要求1所述的花生全苗壯苗栽培方法，其特征在于：步驟（2）中，基肥中的家用有機肥15000kg用腐熟雞糞1500kg替代。