[發明專利]一種半導體電容器及其制作方法和電子裝置

有效

• 申請號: 201610208298.4
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN107293476B
• 公開（公告）日: 2020-06-09
• 發明（設計）人: 吳健;張煥云;江宇雷;洪波
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/92;H01L21/28;H01L21/283
• 代理公司: 北京市磐華律師事務所 11336
• 代理人: 高偉;馮永貞

1.一種半導體電容器的制備方法，其特征在于，所述方法包括：

提供基底，在所述基底上形成有下部電極；

在所述下部電極的上方形成絕緣層；

在所述下部電極和所述絕緣層上形成間隙壁，所述間隙壁位于所述絕緣層的頂部表面上和位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上，以完全覆蓋所述下部電極和所述絕緣層，其中，所述間隙壁位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上的部分具有平緩的坡度，以提高預定形成的自對準硅化物層的覆蓋性能；

在所述間隙壁上形成自對準硅化物層，以形成上部電極。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述間隙壁位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上的部分呈平滑的曲線。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述曲線的切線與所述基底用于形成所述下部電極的表面之間的夾角為銳角。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述下部電極和所述絕緣層上形成間隙壁的步驟包括：

在所述下部電極和所述絕緣層上形成間隙壁材料層，以覆蓋所述下部電極和所述絕緣層；

在所述間隙壁上形成間隙壁掩膜層；

以所述間隙壁掩膜層為掩膜蝕刻所述間隙壁材料層，以形成所述間隙壁，所述間隙壁包括位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上的部分和位于所述基底上的部分；

去除所述間隙壁掩膜層。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述間隙壁上形成自對準硅化物層的步驟包括：

沉積半導體材料層，以覆蓋所述間隙壁；

對所述半導體材料層圖案化，以去除所述間隙壁上方之外的部分；

將所述半導體材料進行自對準硅化物工藝，以形成所述自對準硅化物層。

6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述下部電極和所述絕緣層的步驟包括：

提供下部電極材料層，并進行高溫氧化，以在所述下部電極材料層表面形成氧化物；

在所述下部電極材料層上形成絕緣層；

在所述絕緣層上形成圖案化的掩膜層；

以所述掩膜層為掩膜蝕刻所述絕緣層，以去除部分所述絕緣層；

以所述絕緣層為掩膜蝕刻所述下部電極材料層和所述氧化物，以形成所述下部電極。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導體電容器包括多晶硅-絕緣體-多晶硅電容器。

8.一種通過權利要求1至7之一所述方法制備的半導體電容器，其特征在于，所述半導體電容器包括：

下部電極；

絕緣層，位于所述下部電極的上方；

間隙壁，位于所述下部電極和所述絕緣層上，其中，所述間隙壁位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上的部分具有平緩的坡度；

上部電極，包括自對準硅化物層，位于所述間隙壁上。

9.根據權利要求8所述的半導體電容器，其特征在于，所述間隙壁位于所述下部電極和所述絕緣層的側壁上的部分呈平滑的曲線，所述曲線的切線與所述基底用于形成所述下部電極的表面之間的夾角為銳角。

10.一種電子裝置，其特征在于，包括如權利要求8至9之一所述的半導體電容器。