[發(fā)明專利]測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201610208066.9
• 申請(qǐng)日: 2016-04-05
• 公開（公告）號(hào): CN107290594B
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 賀鑫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司
• 主分類號(hào): G01R27/26
• 分類號(hào): G01R27/26
• 代理公司: 11227 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 高靜;吳敏<國(guó)際申請(qǐng)>=<國(guó)際公布>=<

一種測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)包括：基底，包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；第一區(qū)域的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括若干個(gè)柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底內(nèi)的摻雜區(qū)，第一區(qū)域兩端的第一連接結(jié)構(gòu)和第一連接結(jié)構(gòu)之間的第二連接結(jié)構(gòu)，第一連接結(jié)構(gòu)和第二連接結(jié)構(gòu)均包括與摻雜區(qū)相連接的接觸插塞以及與接觸插塞相連接的金屬層；第二區(qū)域的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括第二區(qū)域兩端的第三連接結(jié)構(gòu)和第三連接結(jié)構(gòu)之間的第四連接結(jié)構(gòu)，與第一測(cè)試結(jié)構(gòu)的區(qū)別僅在于第四連接結(jié)構(gòu)包括與摻雜區(qū)相連接的接觸插塞；第三區(qū)域的第三測(cè)試結(jié)構(gòu)，與第二測(cè)試結(jié)構(gòu)的區(qū)別僅在于第二測(cè)試結(jié)構(gòu)具有第四連接結(jié)構(gòu)。通過所述測(cè)試結(jié)構(gòu)，可以精準(zhǔn)地獲取晶體管的寄生電容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其涉及一種測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法。

背景技術(shù)

隨著集成電路的集成化，以及半導(dǎo)體器件的微型化，晶體管的性能對(duì)于集成電路的影響越發(fā)顯著。在影響晶體管性能的因素中，寄生電容會(huì)對(duì)由晶體管形成的半導(dǎo)體器件的工作效率產(chǎn)生影響。因此，需要對(duì)所述晶體管的寄生電容進(jìn)行測(cè)試，從而盡量降低所述寄生電容的大小。

但是，現(xiàn)有技術(shù)對(duì)于晶體管寄生電容的測(cè)試方法復(fù)雜，且很難精準(zhǔn)獲取所述寄生電容值。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明解決的問題是提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)及其測(cè)試方法，有效獲取晶體管的寄生電容值。

為解決上述問題，本發(fā)明提供一種測(cè)試結(jié)構(gòu)，包括：基底，包括第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域；阱區(qū)，位于所述基底內(nèi)；位于所述第一區(qū)域的第一測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)包括干個(gè)位于所述第一區(qū)域阱區(qū)表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底內(nèi)的若干個(gè)作為源區(qū)或漏區(qū)的摻雜區(qū)，位于所述第一區(qū)域兩端的第一連接結(jié)構(gòu)以及所述第一連接結(jié)構(gòu)之間的第二連接結(jié)構(gòu)，所述第一連接結(jié)構(gòu)包括與所述摻雜區(qū)相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，所述第二連接結(jié)構(gòu)包括與所述摻雜區(qū)相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，其中，所述阱區(qū)與所述摻雜區(qū)的摻雜類型相同；位于所述第二區(qū)域的第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第二測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)位于所述第二區(qū)域阱區(qū)表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底內(nèi)的若干個(gè)作為源區(qū)或漏區(qū)的摻雜區(qū)，位于所述第二區(qū)域兩端的第三連接結(jié)構(gòu)以及所述第三連接結(jié)構(gòu)之間的第四連接結(jié)構(gòu)，所述第三連接結(jié)構(gòu)包括與所述摻雜區(qū)相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，所述第四連接結(jié)構(gòu)包括與所述摻雜區(qū)相連接的接觸插塞，其中，所述阱區(qū)與所述摻雜區(qū)的摻雜類型相同；位于所述第三區(qū)域的第三測(cè)試結(jié)構(gòu)，所述第三測(cè)試結(jié)構(gòu)包括若干個(gè)位于所述第三區(qū)域阱區(qū)表面的柵極結(jié)構(gòu)，位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)基底內(nèi)的若干個(gè)作為源區(qū)或漏區(qū)的摻雜區(qū)，以及位于所述第三區(qū)域兩端的第五連接結(jié)構(gòu)，所述第五連接結(jié)構(gòu)包括與所述摻雜區(qū)相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，其中，所述阱區(qū)與所述摻雜區(qū)的摻雜類型相同。

可選的，所述第一連接結(jié)構(gòu)、第三連接結(jié)構(gòu)和第五連接結(jié)構(gòu)為相同結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)的形成工藝、材料和尺寸相同，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三測(cè)試結(jié)構(gòu)的接觸插塞的形成工藝、材料和尺寸相同，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三測(cè)試結(jié)構(gòu)的金屬層的形成工藝、材料和尺寸相同。

可選的，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)的數(shù)量相等。

可選的，所述第一測(cè)試結(jié)構(gòu)、第二測(cè)試結(jié)構(gòu)和第三測(cè)試結(jié)構(gòu)的柵極結(jié)構(gòu)的數(shù)量為n個(gè)，n為等于或大于2的自然數(shù)。

可選的，所述摻雜區(qū)的數(shù)量為n+1個(gè)；所述第二連接結(jié)構(gòu)的數(shù)量為n-1個(gè)；所述第四連接結(jié)構(gòu)的數(shù)量為n-1個(gè)。

可選的，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)為鰭式場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)，所述基底包括襯底以及凸出于所述襯底的鰭部，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述鰭部表面，所述摻雜區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部?jī)?nèi)；或者，所述測(cè)試結(jié)構(gòu)為平面晶體管結(jié)構(gòu)，所述基底為襯底，所述柵極結(jié)構(gòu)位于所述襯底表面，所述摻雜區(qū)位于所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的襯底內(nèi)。