[發明專利]測試結構及其測試方法有效
| 申請號： | 201610208066.9 | 申請日： | 2016-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN107290594B | 公開（公告）日： | 2019-12-03 |
| 發明（設計）人： | 賀鑫 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/26 | 分類號： | G01R27/26 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知識產權代理有限公司 | 代理人： | 高靜;吳敏<國際申請>=<國際公布>=< |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測試 結構 及其 方法 | ||
1.一種測試結構，其特征在于，包括：
基底，包括第一區域、第二區域和第三區域；
阱區，位于所述基底內；
位于所述第一區域的第一測試結構，所述第一測試結構包括干個位于所述第一區域阱區表面的柵極結構，位于所述柵極結構兩側基底內的若干個作為源區或漏區的摻雜區，位于所述第一區域兩端的第一連接結構以及所述第一連接結構之間的第二連接結構，所述第一連接結構包括與所述摻雜區相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，所述第二連接結構包括與所述摻雜區相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，其中，所述阱區與所述摻雜區的摻雜類型相同；
位于所述第二區域的第二測試結構，所述第二測試結構包括若干個位于所述第二區域阱區表面的柵極結構，位于所述柵極結構兩側基底內的若干個作為源區或漏區的摻雜區，位于所述第二區域兩端的第三連接結構以及所述第三連接結構之間的第四連接結構，所述第三連接結構包括與所述摻雜區相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，所述第四連接結構包括與所述摻雜區相連接的接觸插塞，其中，所述阱區與所述摻雜區的摻雜類型相同；
位于所述第三區域的第三測試結構，所述第三測試結構包括若干個位于所述第三區域阱區表面的柵極結構，位于所述柵極結構兩側基底內的若干個作為源區或漏區的摻雜區，以及位于所述第三區域兩端的第五連接結構，所述第五連接結構包括與所述摻雜區相連接的接觸插塞以及與所述接觸插塞相連接的金屬層，其中，所述阱區與所述摻雜區的摻雜類型相同。
2.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一連接結構、第三連接結構和第五連接結構為相同結構。
3.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試結構、第二測試結構和第三測試結構的柵極結構的形成工藝、材料和尺寸相同，所述第一測試結構、第二測試結構和第三測試結構的接觸插塞的形成工藝、材料和尺寸相同，所述第一測試結構、第二測試結構和第三測試結構的金屬層的形成工藝、材料和尺寸相同。
4.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試結構、第二測試結構和第三測試結構的柵極結構的數量相等。
5.如權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述第一測試結構、第二測試結構和第三測試結構的柵極結構的數量為n個，n為等于或大于2的自然數。
6.如權利要求5所述的測試結構，其特征在于，所述摻雜區的數量為n+1個；所述第二連接結構的數量為n-1個；所述第四連接結構的數量為n-1個。
7.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構為鰭式場效應管結構，所述基底包括襯底以及凸出于所述襯底的鰭部，所述柵極結構位于所述鰭部表面，所述摻雜區位于所述柵極結構兩側的鰭部內；
或者，所述測試結構為平面晶體管結構，所述基底為襯底，所述柵極結構位于所述襯底表面，所述摻雜區位于所述柵極結構兩側的襯底內。
8.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括應力層，所述摻雜區形成于所述應力層內。
9.如權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述摻雜區還包括位于所述柵極結構下方的重疊區域。
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