[發(fā)明專利]一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201610207469.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-04-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN105780127B | 公開(公告)日: | 2018-08-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 楊健;黨繼東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/223 | 分類號(hào): | H01L21/223 |
| 代理公司: | 蘇州翔遠(yuǎn)專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32251 | 代理人: | 陸金星 |
| 地址: | 224431 江蘇省鹽*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 晶體 太陽能電池 擴(kuò)散 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法,包括如下步驟:(1)將擴(kuò)散爐升溫至760~780℃;進(jìn)舟;(2)調(diào)溫至780~790℃;(3)通入攜磷源氣體及干氧,進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)散;(4)停止通入攜磷源氣體及干氧,將爐內(nèi)溫度升高至820~840℃,推進(jìn),(5)進(jìn)行恒溫推進(jìn);(6)將擴(kuò)散爐內(nèi)溫度降低到700~750℃,進(jìn)行降溫?cái)U(kuò)散;(7)降溫出舟。本發(fā)明開將退火步與二次擴(kuò)散步結(jié)合,避免了現(xiàn)有技術(shù)中因退火而引起的表面摻雜溶度二次降低且雜質(zhì)分布寬的問題;不僅使雜質(zhì)分布符合淺結(jié)及窄雜質(zhì)需求,而且還增加了產(chǎn)量,提高了光電轉(zhuǎn)換效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法,屬于一種制造太陽能電池的擴(kuò)散制結(jié)工藝,屬于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)
常規(guī)的化石燃料日益消耗殆盡,在所有的可持續(xù)能源中,太陽能無疑是一種最清潔、最普遍和最有潛力的替代能源。目前,在所有的太陽電池中,晶體硅太陽電池是得到大范圍商業(yè)推廣的太陽能電池之一,這是由于硅材料在地殼中有著極為豐富的儲(chǔ)量,同時(shí)晶體硅太陽電池相比其他類型的太陽能電池有著優(yōu)異的電學(xué)性能和機(jī)械性能,因此,晶體硅太陽電池在光伏領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。
目前廣泛采用的晶體硅太陽能電池的制造工藝也已經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)化,主要步驟為:化學(xué)清洗及表面結(jié)構(gòu)化處理(制絨)-擴(kuò)散制結(jié)-周邊刻蝕-沉積減反射膜-印刷電極-燒結(jié)。其中,擴(kuò)散制結(jié)分為磷擴(kuò)散與硼擴(kuò)散,在使用P型硅片制備太陽能電池的情況下,需要在硅片表面進(jìn)行磷擴(kuò)散形成N層,最終形成PN結(jié),相反,若使用N型硅片制備時(shí),則需要在硅片表面進(jìn)行硼擴(kuò)散來形成PN結(jié)。現(xiàn)有技術(shù)中,通常采用磷擴(kuò)散制結(jié),該步驟是整個(gè)制備過程中的一個(gè)關(guān)鍵步驟,其質(zhì)量會(huì)直接影響到電池的光電轉(zhuǎn)換效率,在工業(yè)化生產(chǎn)中,典型的結(jié)制備分為兩步:第一步用氮?dú)馔ㄟ^液態(tài)的三氯氧磷(POCL3),將所需要的雜質(zhì)(磷)用載流氣體(氮、氧)輸運(yùn)至高溫半導(dǎo)體材料表面(硅),雜質(zhì)擴(kuò)散深度約為幾百個(gè)納米;第二步是高溫處理(即驅(qū)入處理),使預(yù)淀積在表面的雜質(zhì)原子繼續(xù)向基體深處擴(kuò)散,這樣就形成了一個(gè)N+/N層,這樣的結(jié)構(gòu)有利于后電極的制備。
然而,第二步的高溫處理會(huì)導(dǎo)致爐管內(nèi)各溫區(qū)溫度波動(dòng)較大,差異大,導(dǎo)致PN結(jié)不一致。
因此,開發(fā)一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法,既能保證表面摻雜溶度,使大量雜質(zhì)擴(kuò)散且符合淺結(jié)及窄雜質(zhì)分布,又起到了對(duì)雜質(zhì)起到分凝吸雜效果,保證PN結(jié)一致性,是本領(lǐng)域技術(shù)人員一直渴望實(shí)現(xiàn)但始終未能實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的發(fā)明目的是提供一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法。
為達(dá)到上述發(fā)明目的,本發(fā)明采用的技術(shù)方案是:一種晶體硅太陽能電池的磷擴(kuò)散方法,包括如下步驟:
(1)將擴(kuò)散爐升溫至760~780℃,大氮流量為10000~30000sccm;進(jìn)舟;
(2)調(diào)溫至780~790℃,大氮流量為10000~30000sccm,爐內(nèi)壓力控制在50~200mba;調(diào)溫時(shí)間控制在600~800秒;
(3)保持上述溫度、壓力和大氮流量不變,同時(shí)通入攜磷源氣體及干氧,進(jìn)行低溫?cái)U(kuò)散,擴(kuò)散時(shí)間為600~900秒;
所述氧氣的流量為1000~2000sccm;
攜磷源氣體的流量為0.8~2L/min;
(4)停止通入攜磷源氣體及干氧,將爐內(nèi)溫度升高至820~840℃,邊升溫邊推進(jìn),大氮流量控制在10000~30000sccm,爐內(nèi)壓力控制在50~200mba,推進(jìn)時(shí)間控制在300~600秒;
(5)待爐內(nèi)溫度穩(wěn)定在820~840℃時(shí),進(jìn)行恒溫推進(jìn),推進(jìn)時(shí)間控制在300~600秒;大氮流量控制在10000~30000sccm,爐內(nèi)壓力控制在50~200mba;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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