[發明專利]一種晶體硅太陽能電池的磷擴散方法有效
| 申請號： | 201610207469.1 | 申請日： | 2016-04-05 |
| 公開（公告）號： | CN105780127B | 公開（公告）日： | 2018-08-07 |
| 發明（設計）人： | 楊健;黨繼東 | 申請（專利權）人： | 鹽城阿特斯協鑫陽光電力科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/223 | 分類號： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 蘇州翔遠專利代理事務所(普通合伙) 32251 | 代理人： | 陸金星 |
| 地址： | 224431 江蘇省鹽*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽能電池 擴散 方法 | ||
1.一種晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1) 將擴散爐升溫至760~780℃，大氮流量為10000~30000 sccm；進舟；
(2) 調溫至780~790℃，大氮流量為10000~30000 sccm，爐內壓力控制在50~200 mbar；調溫時間控制在600~800秒；
(3) 保持上述溫度、壓力和大氮流量不變，同時通入攜磷源氣體及干氧，進行低溫擴散，擴散時間為600~900秒；
所述氧氣的流量為1000~2000 sccm；
所述攜磷源氣體的流量為0.8~2 L/min；
(4) 停止通入攜磷源氣體及干氧，將爐內溫度升高至820~840℃，邊升溫邊推進，大氮流量控制在10000~30000 sccm，爐內壓力控制在50~200mbar ，推進時間控制在300~600秒；
(5) 待爐內溫度穩定在820~840℃時，進行恒溫推進，推進時間控制在300~600秒；大氮流量控制在10000~30000sccm，爐內壓力控制在50~200mbar ；
(6) 保持爐內壓力不變，將擴散爐內溫度降低到700~750℃，同時通入攜磷源氣體及干氧，進行降溫擴散，在降溫的同時進行退火吸雜，擴散時間為1000~3000秒；
所述氧氣的流量為2000~5000 sccm；大氮流量為10000~30000sccm；攜磷源氣體的流量為0.8~2 L/min；
(7) 降溫出舟，完成擴散過程。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(1)中，將擴散爐升溫至770~780℃。
3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(3)和步驟(6)中的攜磷源氣體為氮氣和POCl3。
4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(3)中，大氮流量為18000 sccm；氧氣的流量為1500 sccm；攜磷源氣體的流量為1 L/min。
5.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(6)中，將擴散爐內溫度降低到740~750℃。
6.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(6)中，大氮流量為17500 sccm；氧氣的流量為4000 sccm；攜磷源氣體的流量為1 L/min。
7.根據權利要求1所述的晶體硅太陽能電池的磷擴散方法，其特征在于：所述步驟(1)中，進舟時間控制在600~800秒。
8.根據權利要求1至7任一項所述的磷擴散方法獲得的晶體硅太陽能電池。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
