[發明專利]薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置

有效

• 申請號: 201610206441.6
• 申請日: 2016-04-05
• 公開（公告）號: CN105702744B
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 王美麗;閆梁臣
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L29/423;H01L27/12
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，包括：

襯底基板，設置在所述襯底基板上方的柵極絕緣層和柵極；

其中，在所述柵極絕緣層與柵極之間還設置有導電層；

其中，所述導電層在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影；所述導電層的材料包括具有導電性的碳材料、金屬材料或金屬氧化物；

還包括：設置在所述襯底基板和所述柵極絕緣層之間的有源層；

所述導電層在所述襯底基板上的投影與所述有源層在所述襯底基板上的投影重疊；

還包括：與所述有源層同層且相對設置的用于與即將形成的源極電性相連的源極區域和用于與即將形成的漏極電性相連的漏極區域；

在形成所述源極區域和所述漏極區域之后形成柵極。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：位于所述柵極上方的源極和漏極。

3.根據權利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，還包括：位于所述源極和所述漏極與所述柵極之間的層間介質層；其中，

所述源極通過貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第一過孔與所述源極區域電性相連，所述漏極通過貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第二過孔與所述漏極區域電性相連。

4.一種陣列基板，其特征在于，包括權利要求1-3任一權項所述的薄膜晶體管。

5.根據權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，還包括：依次位于所述薄膜晶體管上方的平坦層和像素電極層；其中，

所述像素電極通過接觸孔與所述薄膜晶體管中的漏極電性相連。

6.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求4或5所述的陣列基板。

7.一種薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，該方法包括：

在襯底基板上形成柵極絕緣層的圖案；

在所述柵極絕緣層上形成導電層；

在所述導電層上形成柵極的圖案；

采用構圖工藝處理所述導電層并形成導電層的圖案，使得所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影；所述導電層的材料包括具有導電性的碳材料、金屬材料或金屬氧化物；

在形成所述柵極絕緣的圖案之前，該方法還包括：

在所述襯底基板上形成有源層的圖案；

所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影與所述有源層在所述襯底基板上的投影重疊；

在形成有源層的同時，形成與所述有源層同層且相對設置的用于與即將形成的源極電性相連的源極區域和用于與即將形成的漏極電性相連的漏極區域；

其中，在形成所述源極區域和所述漏極區域之后形成柵極。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，采用構圖工藝處理所述導電層并形成導電層的圖案，包括：

采用等離子體工藝對所述導電層進行等離子轟擊，使得所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影。

9.根據權利要求8所述的方法，其特征在于，形成所述柵極的圖案之后，形成源極和漏極的圖案。

10.根據權利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述柵極的圖案之后，在形成源極和漏極的圖案之前，還包括：

形成覆蓋所述柵極的層間介質層；

形成貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔用于使即將形成的源極與所述源極區域電性相連，所述第二過孔用于使即將形成的漏極與所述漏極區域電性相連。