[發(fā)明專利]一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應(yīng)用有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201610205639.2 | 申請日: | 2016-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN105702865B | 公開(公告)日: | 2018-08-21 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 麥耀華;范建東;張星;劉沖;沈艷嬌;李紅亮;陳榮榮 | 申請(專利權(quán))人: | 河北大學(xué) |
| 主分類號: | H01L51/42 | 分類號: | H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 石家莊國域?qū)@虡?biāo)事務(wù)所有限公司 13112 | 代理人: | 胡素梅;白海靜 |
| 地址: | 071002 河北省保*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 金屬 摻雜 鈣鈦礦 薄膜 制備 方法 應(yīng)用 | ||
本發(fā)明提供了一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應(yīng)用。本發(fā)明中金屬摻雜鈣鈦礦薄膜的制備方法具體是:將金屬粉末溶解在HX溶液中,形成含有金屬離子的HX溶液,X為Cl、Br或I;將含有金屬離子的HX溶液與甲胺溶液通過混合、烘干,制備成摻雜金屬離子的MAX粉末;將摻雜金屬離子的MAX粉末與鉛鹽混合并溶于二甲基甲酰胺中,制備成鈣鈦礦前驅(qū)液;所述鉛鹽為PbBr2、PbI2或PbCl2;將鈣鈦礦前驅(qū)液通過旋涂工藝制備成摻雜金屬離子的鈣鈦礦薄膜。本發(fā)明通過液相一步法制備出了摻雜金屬離子的鈣鈦礦薄膜,所制備的鈣鈦礦薄膜覆蓋度得到明顯的增加,完全可以滿足鈣鈦礦太陽能電池對鈣鈦礦薄膜高質(zhì)量的要求。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域,具體地說是一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜、其制備方法及應(yīng)用。
背景技術(shù)
太陽能電池能夠?qū)⑻柲苤苯愚D(zhuǎn)換成電能,由于太陽能是取之不盡用之不竭的清潔能源,因此太陽能電池是人類應(yīng)對能源危機(jī),尋求可持續(xù)發(fā)展的重要對策。目前,晶體硅太陽能電池占有89%的光伏市場份額。然而,昂貴的原材料及其繁瑣的電池工藝限制了晶體硅太陽能電池的長遠(yuǎn)發(fā)展。在過去的十年里,薄膜太陽能電池包括硅基薄膜、Cu(In,Ga)Se2-xSx以及CdTe電池等也開始實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。作為第三代太陽能電池的杰出代表,鈣鈦礦太陽能電池是一種以有機(jī)無機(jī)鈣鈦礦材料產(chǎn)生光生電子和空穴對的一類新型全固態(tài)有機(jī)金屬鹵化物薄膜太陽能電池。鈣鈦礦太陽能電池具有能量轉(zhuǎn)換效率高,載流子擴(kuò)散長度長、遷移率高,核心光電轉(zhuǎn)換材料廉價(jià)易得等優(yōu)點(diǎn),經(jīng)過短短五年的發(fā)展,其實(shí)驗(yàn)室轉(zhuǎn)換效率從3.8%提升至20.1%左右。
目前,鈣鈦礦太陽能電池中所用到的鈣鈦礦材料主要是碘化鉛甲胺(CH3NH3PbI3),它的帶隙約為1.5 eV,消光系數(shù)高,幾百納米厚薄膜就可以充分吸收800 nm以下的太陽光。CH3NH3PbI3在制備時通常采用液相一步法來完成,即:將PbI2與CH3NH3I以一定的摩爾比例混合,然后溶解于N,N-二甲基甲酰胺(DMF)溶液中,待完全溶解后旋涂于相應(yīng)的基底上,之后對薄膜進(jìn)行熱處理即形成CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜。但是,采用液相一步法所制備的CH3NH3PbI3鈣鈦礦薄膜覆蓋度差,導(dǎo)致空穴傳輸層(HTM)與致密層直接接觸,致使電子空穴對復(fù)合增加,影響電池的性能。而且,平板異質(zhì)結(jié)電池存在電池正反掃回滯大,電池效率不穩(wěn)定等問題。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一就是提供一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜,該金屬摻雜鈣鈦礦薄膜通過摻入金屬離子來提高鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量及覆蓋度,可用來制備高效穩(wěn)定的鈣鈦礦太陽能電池。
本發(fā)明的目的之二就是提供一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜的制備方法,該方法通過液相一步旋涂法可制備出摻雜金屬離子的高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜。
本發(fā)明的目的之三就是提供一種上述金屬摻雜鈣鈦礦薄膜的應(yīng)用,即:提供一種鈣鈦礦太陽能電池,該鈣鈦礦太陽能電池中應(yīng)用了上述摻雜金屬離子的高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜。
本發(fā)明的目的之一是這樣實(shí)現(xiàn)的:一種金屬摻雜鈣鈦礦薄膜,在鈣鈦礦薄膜中摻有Al、Zn、Fe、Cu、Ag或Mn金屬離子。
高質(zhì)量的鈣鈦礦薄膜須具有以下幾個特點(diǎn):(1) 較好的覆蓋度;(2) 較少的晶界,即較大尺寸的晶粒結(jié)構(gòu);(3) 好的結(jié)晶性,取向性;(4) 較高的穩(wěn)定性;(5) 好的吸收能力;(6) 較好的電子—空穴傳輸能力。本發(fā)明通過摻入金屬離子制備出了金屬摻雜的鈣鈦礦薄膜,制備成本低廉,且所獲得的鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量較高。
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