[發(fā)明專利]金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201610203034.X
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN105742255B
• 公開（公告）日: 2018-10-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張江華
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇長電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/48;H01L23/52;H01L21/50;H01L21/60
• 代理公司: 江陰市揚子專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32309
• 代理人: 周彩鈞

1.一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：它包括表面聲濾波芯片晶圓（1），所述表面聲濾波芯片晶圓（1）表面包括電極區(qū)域（1.1）和感應(yīng)區(qū)域（1.2），所述電極區(qū)域（1.1）表面設(shè)置有第一金屬層（2），所述表面聲濾波芯片晶圓（1）除電極區(qū)域（1.1）和感應(yīng)區(qū)域（1.2）外的區(qū)域設(shè)置有粘合膠（3），所述粘合膠（3）上方設(shè)置有貼合晶圓（4），所述貼合晶圓（4）與感應(yīng)區(qū)域（1.2）之間形成空腔（6），所述貼合晶圓（4）在電極區(qū)域（1.1）位置處設(shè)置有第一開孔（7），所述貼合晶圓（4）表面設(shè)置有第一絕緣層（8），所述第一開孔（7）內(nèi)填充有導電膠或電鍍金屬（9），所述導電膠或電鍍金屬（9）的表面設(shè)置有第二金屬層（10）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二金屬層（10）上設(shè)置有金屬球（11）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述貼合晶圓（4）背面開設(shè)有凹槽（5），所述凹槽（5）位于感應(yīng)區(qū)域（1.2）上方。

4.一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于所述方法包括以下工藝步驟：

步驟一、取一片表面聲濾波芯片晶圓；

步驟二、在表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域制備第一金屬層；

步驟三、貼合晶圓蝕刻凹槽

取一片貼合晶圓，在貼合晶圓需要的位置蝕刻出凹槽，凹槽的位置與表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域和芯片感應(yīng)區(qū)域的位置相對應(yīng)；

步驟四、貼合晶圓貼合

將步驟三蝕刻出凹槽的貼合晶圓通過粘合膠與表面聲濾波芯片晶圓貼合在一起，從而在芯片感應(yīng)區(qū)域上方形成空腔；

步驟五、蝕刻

在貼合晶圓面涂光刻膠，并進行曝光，顯影，蝕刻，把表面聲濾波芯片晶圓的電極區(qū)域位置暴露出來，形成第一開孔；

步驟六、制備第二絕緣層

用涂膠工藝在貼合晶圓上涂一層絕緣膠，用光刻，顯影的方法將電極區(qū)域位置的絕緣膠去除；

步驟七、埋孔

用導電膠或電鍍金屬埋入開孔內(nèi)；

步驟八，制備第二金屬層

在導電膠或電鍍金屬的表面制備第二金屬層；

步驟九、切割

切割分成單顆產(chǎn)品。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述步驟四與步驟五之間對貼合晶圓進行研磨、減薄。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述步驟八與步驟九之間在第二金屬層表面進行植球。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述貼合晶圓采用硅晶圓或金屬材料晶圓。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種金屬圓片級凹槽埋孔型表面聲濾波芯片封裝結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于：所述步驟三在將貼合晶圓蝕刻出凹槽的同時，在電極區(qū)域的位置進行蝕刻開孔，可省略步驟五。