[發明專利]一種電磁加熱軟啟動結構及其啟動方式在審
| 申請號: | 201610202468.8 | 申請日: | 2016-03-31 |
| 公開(公告)號: | CN105682273A | 公開(公告)日: | 2016-06-15 |
| 發明(設計)人: | 高新忠;甘嵩;馮祥遠;徐慶榮 | 申請(專利權)人: | 杭州信多達電器有限公司 |
| 主分類號: | H05B6/06 | 分類號: | H05B6/06 |
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| 地址: | 311228 浙江省杭州*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 電磁 加熱 啟動 結構 及其 方式 | ||
技術領域
本發明涉及家用電器技術領域,具體涉及一種電磁加熱軟啟動結構及其啟動 方式。
背景技術
飯煲烹飪食物有時需要小火力加熱,然而一般的情況是采用間歇加熱即加熱 若干秒關閉若干秒實現小火力加熱,這種方式理論上是實現小火力加熱,但烹飪 效果不好,在此基礎上采用快速間歇加熱即加熱10ms關閉10ms實現,雖然解決 了連續低功率加熱,隨之帶來了噪音問題。
發明內容
針對上述問題,本發明旨在提供一種電磁加熱軟啟動結構及其啟動方式。本 發明能夠有效降低電磁加熱產生的噪音,提升客戶使用滿意度。
為實現該技術目的,本發明的方案是:一種電磁加熱軟啟動結構,包括LC 震蕩電路、IGBT/MOSFET驅動電路、同步硬件電路、單片機,過零檢測電路,所 述同步硬件電路與所述單片機連接,所述單片機處理同步信號得到同步脈沖信 號;所述單片機與所述IGBT/MOSFET驅動電路連接,由所述單片機輸出開關控制 信號給所述及IGBT/MOSFET驅動電路,控制所述IGBT/MOSFET電平高、低,所述 單片機實時檢測過零檢測電路,并判定過零點,再根據所述過零檢測電路檢測的 過零點,發送信號至所述單片機,所述單片機會每次在過零點開啟軟啟動。在過 零點開啟軟啟動減小電磁加熱啟動噪音問題。
作為優選,所述單片機具有輸出功率控制計算程序,經過計算得到觸發所述 IGBT/MOSFET驅動電路導通寬度,所述單片機根據同步脈沖信號觸發PPG開通。
一種電磁加熱軟啟動的啟動方式,包括以下步驟:
1)所述過零檢測電路檢測過零信號,檢測到過零信號反饋至所述單片機后 進入下一步驟;
2)單次開通固定PPG驅動寬度,在反壓最低點處再次開通固定PPG驅動寬 度,循環諾干次,進入下一步驟;
3)啟動正常模式,步驟如“PPG/MOSFET驅動電路”;其中進入所述PPG/MOSFET 驅動電路包括以下步驟:
A)所述同步硬件電路連接到電磁爐能量轉換線盤和所述IGBT/MOSFET驅動 電路的開關器件形成電壓分壓電路,所述單片機根據分壓電路處理得到同步脈沖 信號;
B)所述單片機根據功率的大小計算導通所述IGBT/MOSFET驅動電路的寬度 由同步脈沖信號觸發PPG開通;
C)單片機根據IGBT/MOSFET導通時間結束后自動關閉PPG信號輸出;
D)返回步驟1),等待同步硬件電路信號的翻轉。
本發明的有益效果:
本發明采用單片機采集電網過零信號,單片機根據系統加熱情況從過零點開 啟軟啟動進行加熱,啟動軟啟動程序能夠有效降低電磁加熱產生的噪音,達到噪 音可接受的目的,提升客戶使用滿意度。
附圖說明
圖1為本發明的電路結構原理圖;
圖2為本發明的過零檢測電路檢測波形示意圖;
圖3為本發明的PPG信號波形示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本發明做進一步詳細說明。
如圖1所示,本發明的最佳具體實施例的一種電磁加熱軟啟動結構,包括 LC震蕩電路、IGBT/MOSFET驅動電路、同步硬件電路、單片機,過零檢測電路, 所述同步硬件電路與所述單片機連接,所述單片機處理同步信號得到同步脈沖信 號;所述單片機與所述IGBT/MOSFET驅動電路連接,由所述單片機輸出開關控制 信號給所述及IGBT/MOSFET驅動電路,控制所述IGBT/MOSFET電平高、低,所述 單片機實時檢測過零檢測電路,并判定過零點,再根據所述過零檢測電路檢測的 過零點,發送信號至所述單片機,所述單片機會每次在過零點開啟軟啟動。在過 零點開啟軟啟動減小電磁加熱啟動噪音問題。
作為優選,所述單片機具有輸出功率控制計算程序,經過計算得到觸發所述 IGBT/MOSFET驅動電路導通寬度,所述單片機根據同步脈沖信號觸發PPG開通。
一種電磁加熱軟啟動的啟動方式,包括以下步驟:
1)所述過零檢測電路檢測過零信號,檢測到過零信號反饋至所述單片機后 進入下一步驟;
2)單次開通固定PPG驅動寬度,在反壓最低點處再次開通固定PPG驅動寬 度,循環諾干次,進入下一步驟;
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