[發明專利]一種電磁加熱軟啟動結構及其啟動方式

在審

• 申請號: 201610202468.8
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105682273A
• 公開（公告）日: 2016-06-15
• 發明（設計）人: 高新忠;甘嵩;馮祥遠;徐慶榮
• 申請（專利權）人: 杭州信多達電器有限公司
• 主分類號: H05B6/06
• 分類號: H05B6/06
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種電磁加熱軟啟動結構，其特征在于：包括LC震蕩電路、IGBT/MOSFET 驅動電路、同步硬件電路、單片機，過零檢測電路，所述同步硬件電路與所述單 片機連接，所述單片機處理同步信號得到同步脈沖信號；所述單片機與所述 IGBT/MOSFET驅動電路連接，由所述單片機輸出開關控制信號給所述及 IGBT/MOSFET驅動電路，控制所述IGBT/MOSFET電平高、低，所述單片機實時檢 測過零檢測電路，并判定過零點，再根據所述過零檢測電路檢測的過零點，發送 信號至所述單片機，所述單片機會每次在過零點開啟軟啟動。

2.根據權利要求1所述的電磁加熱軟啟動結構，其特征在于：所述單片機 具有輸出功率控制計算程序，經過計算得到觸發所述IGBT/MOSFET驅動電路導通 寬度，所述單片機根據同步脈沖信號觸發PPG開通。

3.一種電磁加熱軟啟動結構的啟動方式，其特征在于：包括以下步驟：

1)所述過零檢測電路檢測過零信號，檢測到過零信號反饋至所述單片機后 進入下一步驟；

2)單次開通固定PPG驅動寬度，在反壓最低點處再次開通固定PPG驅動寬 度，循環諾干次，進入下一步驟；

3)啟動正常模式，步驟如“PPG/MOSFET驅動電路”；其中進入所述PPG/MOSFET 驅動電路包括以下步驟：

A)所述同步硬件電路連接到電磁爐能量轉換線盤和所述IGBT/MOSFET驅動 電路的開關器件形成電壓分壓電路，所述單片機根據分壓電路處理得到同步脈沖 信號；

B)所述單片機根據功率的大小計算導通所述IGBT/MOSFET驅動電路的寬度 由同步脈沖信號觸發PPG開通；

C)單片機根據IGBT/MOSFET導通時間結束后自動關閉PPG信號輸出；

D)返回步驟1)，等待同步硬件電路信號的翻轉。