[發明專利]硅片裂片崩邊阻斷方法

在審

• 申請號: 201610202363.2
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105742244A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 季大君;張研;汪金磊;劉向雨;車振華;劉晶巖;魏洪松
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 陶尊新

技術領域

本發明涉及半導體器件芯片制造技術領域，具體涉及一種硅片裂片崩邊阻斷方法。

能夠有效阻斷劃片過程產生的崩邊，避免裂片過程中的崩邊剔廢，提高芯片質量與合格率。

背景技術

目前，在半導體芯片制造過程中，存在裂片的工步，結合圖1，需要將晶圓按劃片線切割成單個芯粒，現芯片切割普遍采用磨輪劃片機進行裂片，在芯片裂片過程中，由于所處環境較差，所以由于諸多原因(劃片刀損耗、芯片飛帶、芯片材質工藝等)，會導致劃片過程中產生不可避免的崩邊。

發明內容

本發明為解決現有半導體芯片在制造過程中，容易出現崩邊的問題，提供一種半導體劃片崩邊阻斷方法。

半導體劃片崩邊阻斷方法由以下步驟實現：

步驟一、采用光刻技術在硅片槽兩側的硅片上刻出圖形；

步驟二、在步驟一刻出的圖形上進行蒸發鋁層，并將所述鋁層覆蓋至劃片槽兩側；所述劃片槽兩側的鋁層距離劃片槽的寬度為22μm；

步驟三、采用劃片刀沿劃片槽進行切割，獲得切割圖形；

所述的鋁層厚度為3.5μm至5.5μm；

劃片刀的刀刃寬度18μm-21μm；

劃片槽兩側加鋁條覆蓋后，切割刀痕處與芯片有效區間會存在一個臺階，來阻斷崩邊向管芯方向的延伸。

本發明的有益效果：本發明所述的方法在加鋁層后，崩邊在遇到增加的鋁層后將停止向芯片有效區內延伸。阻止了崩邊直接延伸至芯粒內部與芯粒接觸，造成的崩邊廢品。

附圖說明

圖1為本發明所述的硅片裂片崩邊阻斷方法的原理示意圖；

圖2中圖2a和圖2b分別為采用現有方法和本發明方法進行切割的效果圖；

圖3為本實施方式一中的數據統計示意圖；

圖4為本明所述的硅片裂片崩邊阻斷方法的實驗對比圖，其中，圖4a為未采用鋁進行保護的崩邊片，圖4b為采用鋁片進行保護的崩邊片，圖4c為去除鋁層保護的硅片效果圖。

具體實施方式

具體實施方式一、結合圖1至圖4說明本實施方式，硅片裂片崩邊阻斷方法，該方法由以下步驟實現：

步驟一、采用光刻技術在硅片槽兩側的硅片上刻出圖形；

步驟二、在步驟一刻出的圖形上進行蒸發鋁層，并將所述鋁層覆蓋至劃片槽兩側；所述劃片槽兩側的鋁層距離劃片槽的寬度為22μm；

步驟三、采用劃片刀沿劃片槽進行切割，獲得切割圖形；

所述的鋁層厚度為3.5μm至5.5μm；鋁層的覆蓋寬度根據圖形上鋁的寬度而定。

本實施劃片槽兩側加鋁層覆蓋后，切割刀痕處與硅片有效區間會存在一個臺階，來阻斷崩邊向管芯方向的延伸。

本實施方式所述的方法，在芯片制作過程中，延長四次光刻板鋁板長度來覆蓋部分劃片槽，覆蓋后的劃片槽寬度為單側11μm(切割刀刃寬度18μm-21μm)，光刻后蒸發鋁來達到阻斷崩邊的目的。

如圖3為B132DG品種芯片歷史崩邊剔廢統計，此型號芯片2014年10月后進行的劃片線改版，更改后此品種崩邊剔廢率由0.6％下降至0.08％，芯片質量與合格率提升改善效果十分明顯。從以上數據可以看出，本實施方式可以有效的降低崩邊剔廢率。

結合圖4說明本實施方式，圖4a為更改前未加鋁條崩邊片，需進行剔廢。圖4b為增加鋁條的崩邊片，圖4c為將鋁條去除后的崩邊片。由圖4c可以看出鋁條可有效阻止崩邊延伸至芯片有效區域。