[發明專利]硅片裂片崩邊阻斷方法

在審

• 申請號: 201610202363.2
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN105742244A
• 公開（公告）日: 2016-07-06
• 發明（設計）人: 季大君;張研;汪金磊;劉向雨;車振華;劉晶巖;魏洪松
• 申請（專利權）人: 吉林華微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 長春菁華專利商標代理事務所 22210
• 代理人: 陶尊新

1.硅片裂片崩邊阻斷方法，其特征是，該方法由以下步驟實現：

步驟一、采用光刻技術在硅片槽兩側的硅片上刻出圖形；

步驟二、在步驟一刻出的圖形上進行蒸發鋁層，并將所述鋁層覆蓋至劃片槽兩側；所述劃片槽兩側的鋁層距離劃片槽的寬度為22μm；

步驟三、采用劃片刀沿劃片槽進行切割，獲得切割圖形。

2.根據權利要求1所述的硅片裂片崩邊阻斷方法，其特征在于，步驟二中所述的鋁層厚度為3.5μm至5.5μm。

3.根據權利要求1所述的硅片裂片崩邊阻斷方法，其特征在于，步驟三中所述的劃片刀的刀刃寬度18μm-21μm。