[發明專利]半導體封裝

有效

• 申請號: 201610201472.2
• 申請日: 2016-03-31
• 公開（公告）號: CN107154391B
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 施信益
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種半導體封裝，其包含：

一重分布層中介層，具有一第一面、相對于所述第一面的一第二面，以及延伸于所述第一面與所述第二面之間的一垂直側壁；

至少一半導體晶粒，設置在所述重分布層中介層的所述第一面上；

一第一模塑料，設置在所述第一面上，其中所述第一模塑料包覆所述半導體晶粒；

多數個焊錫凸塊，設置在所述第二面上；以及

一第二模塑料，設置在所述第二面上，所述第二模塑料包圍所述多數個焊錫凸塊，且覆蓋所述重分布層中介層的所述垂直側壁，其中所述第一模塑料與所述第二模塑料具有不同的組成，其中所述第二模塑料包含擴展到所述第一模塑料中并且夾住所述第一模塑料的外圍部分。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一模塑料是直接接觸所述第二模塑料。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝，其另包含直接設置在各所述多數個焊錫凸塊上的凸塊，使得所述凸塊突出于所述第二模塑料的一上表面。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述重分布層中介層包含一重分布層，而所述重分布層包含至少一介電層及至少一金屬層。

5.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述介電層包含聚酰亞胺、氮化硅或氧化硅。

6.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述金屬層包含鋁、銅、鎢、鈦或氮化鈦。

7.根據權利要求4所述的半導體封裝，其中所述重分布層中介層另包含一鈍化層，層壓在所述介電層上。

8.根據權利要求1所述的半導體封裝，其中所述第一模塑料從所述半導體晶粒的上部被拋光移除掉，以暴露出所述半導體晶粒的一上表面。