[發明專利]具有雙阱的金屬氧化物半導體元件及其制造方法

在審

• 申請號: 201610200279.7
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN107293543A
• 公開（公告）日: 2017-10-24
• 發明（設計）人: 黃宗義
• 申請（專利權）人: 立锜科技股份有限公司
• 主分類號: H01L27/092
• 分類號: H01L27/092;H01L21/8238
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 張一軍,姜勁

1.一種具有雙阱的金屬氧化物半導體元件，其特征在于，包含：

一半導體基板，于一縱向上，具有相對的一上表面與一下表面；

一外延層，形成于該基板上，于該縱向上，具有相對該上表面的一外延層表面，且該外延層堆疊并連接于該上表面上；

一第一導電型阱，形成于該外延層中，且于該縱向上，位于該外延層表面下方；

一第一導電型本體區，形成于該外延層中的該第一導電型阱上，且于該縱向上，堆疊并連接于該第一導電型阱與該外延層表面之間；

一第二導電型阱，形成于該外延層中，且于該縱向上，位于該外延層表面下方，且于一橫向上鄰接于該第一導電型阱，且該第二導電型阱與該第一導電型阱形成一PN接面；

一柵極，形成于該外延層表面上，于該縱向上，該柵極堆疊并連接于該外延層表面上；

一第一導電型輕摻雜擴散區，以自我對準工藝步驟，形成于該第一導電型阱上的該外延層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該第一導電型阱與該外延層表面之間；

一第二導電型輕摻雜擴散區，以自我對準工藝步驟，形成于該第二導電型阱上的該外延層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該第二導電型阱與該外延層表面之間；

一第二導電型源極，形成于該第一導電型阱上的該外延層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該第一導電型阱與該外延層表面之間，且于該橫向上，連接于該第一導電型本體區與該第一導電型輕摻雜擴散區之間；以及

一第二導電型漏極，形成于該第二導電型阱上的該外延層中，且于該縱向上，堆疊并連接于該第二導電型阱與該外延層表面之間，且于該橫向上，與該第二導電型輕摻雜擴散區連接；

其中，該PN接面位于該第一導電型輕摻雜擴散區與該第二導電型輕摻雜擴散區之間。

2.如權利要求1所述的具有雙阱的金屬氧化物半導體元件，其中，還包含一絕緣區，形成于該外延層上，以定義一金屬氧化物半導體元件區，且該第一導電型本體區、該柵極、該第一導電型輕摻雜擴散區、該第二導電型輕摻雜擴散區、該第二導電型源極、與該第二導電型漏極位于該金屬氧化物半導體元件區中。

3.如權利要求2所述的具有雙阱的金屬氧化物半導體元件，其中，該絕緣區為區域氧化結構或淺溝槽絕緣結構。

4.如權利要求1所述的具有雙阱的金屬氧化物半導體元件，其中，該第一導電型輕摻雜擴散區的雜質摻雜濃度高于該第一導電型阱的雜質摻雜濃度，且該第二導電型輕摻雜擴散區的雜質摻雜濃度高于該第二導電型阱的雜質摻雜濃度。

5.如權利要求1所述的具有雙阱的金屬氧化物半導體元件，其中，還包含一第二導電型埋層，形成于該基板與該外延層中，且位于其接面，并于該縱向上，連接于該第一導電型阱下方。