[發明專利]一種SiC環狀浮點型P+結構結勢壘肖特基二極管及制備方法

在審

• 申請號: 201610199796.7
• 申請日: 2016-04-01
• 公開（公告）號: CN105720110A
• 公開（公告）日: 2016-06-29
• 發明（設計）人: 王成森;沈怡東;錢清友;張超;周榕榕;黎重林;薛治祥;顏呈祥
• 申請（專利權）人: 江蘇捷捷微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 盧海洋

1.一種SiC環狀浮點型P+結構結勢壘肖特基二極管，包括肖特基接觸區、SiO₂隔離介質、N-外延層、N+襯底區和歐姆接觸區，所述N+襯底區上面設有N-外延層，所述N-外延層上設有肖特基接觸區和SiO₂隔離介質，所述N+襯底區下面設有歐姆接觸區，其特征在于：所述N-外延層和肖特基接觸區之間設有多個環狀浮點型P+注入區。

2.根據權利要求1所述的一種SiC環狀浮點型P+結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述環狀浮點型P+注入區之間的間距為3μm，環狀浮點型P+注入區深度為1μm。

3.根據權利要求1或2所述的一種SiC環狀浮點型P+結構結勢壘肖特基二極管，其特征在于：所述環狀浮點型P+注入區俯視形狀為正方形、圓形或者正六邊形。

4.根據權利要求1所述的一種SiC環狀浮點型P+結構結勢壘肖特基二極管的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、對N⁺型碳化硅襯底片進行RCA標準清洗后，在其頂面生長一層N^-外延層；

S2、在N^-外延層上用PECVD淀積一層SiO₂薄膜；

S3、在SiO₂薄膜層上光刻出環狀浮點型P⁺注入區窗口，通過Al離子注入形成環狀浮點型P⁺注入區；

S4、去除SiO₂薄膜層，采用RCA標準清洗、烘干、C膜保護后，進行離子激活退火；

S5、犧牲氧化，再腐蝕掉犧牲氧化層；

S6、用PECVD在N^-外延層表面淀積一層SiO₂隔離介質；

S7、在N⁺型碳化硅襯底片底面濺射金屬，再快速熱退火形成歐姆接觸區；

S8、在N^-外延層表面的SiO₂隔離介質上光刻出肖特基接觸區窗口；

S9、在肖特基接觸區窗口內濺射一層金屬形成肖特基接觸區；

S10、測試、劃片、封裝。