[發明專利]一種具備集成化功能的絕緣外殼及其制造方法有效
| 申請號: | 201610190752.8 | 申請日: | 2016-03-30 |
| 公開(公告)號: | CN107293442B | 公開(公告)日: | 2019-05-24 |
| 發明(設計)人: | 任建昌;張坦 | 申請(專利權)人: | 北京京東方真空電器有限責任公司 |
| 主分類號: | H01H33/662 | 分類號: | H01H33/662;H01H69/00 |
| 代理公司: | 北京維正專利代理有限公司 11508 | 代理人: | 鄭興旺 |
| 地址: | 101500 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具備 集成化 功能 絕緣 外殼 及其 制造 方法 | ||
一種具備集成化功能的絕緣外殼,包括筒狀殼體,筒狀殼體的內壁設有用于增加筒狀殼體軸向兩端之間爬電距離的凸起或凹陷的不平整紋路,該凸起或凹陷的不平整紋路所形成的爬電距離路徑上具有兩個以上翻越或繞行式的子路徑使爬電距離得以增加,增加耐電壓性,同時采用增爬環的構造,不僅使爬電距離有大的提高,而且避免了金屬蒸汽蒸散對筒狀殼體的全內壁的污染,從而在較大爬距和具有較大未受污染面積比例的雙重效果下,使具備集成化功能的絕緣外殼的耐電壓性以及弧后絕緣水平有極大的提高,真空滅弧室的弧后電氣絕緣指標不下降,使具備集成化功能的絕緣外殼以及真空滅弧室向著高壓及超高壓的方向發展。
技術領域
本發明涉及真空斷路器領域,特別涉及真空斷路器中真空滅弧室的絕緣外殼及其制造方法。
背景技術
真空滅弧室是真空斷路器的核心部件,如圖1所示,它包括由陶瓷或玻璃等無機絕緣材料制成的大體呈筒狀的絕緣外殼51,絕緣外殼51的兩端用金屬蓋板52封接組成一個密閉容器,密閉容器的內部設有固定在靜導電桿53上的靜觸頭54,以及固定在動導電桿55上的動觸頭56,動導電桿55和金屬蓋板52之間密封有波紋管57,動導電桿55沿其軸向運動從而帶動動觸頭56,與靜觸頭54完成分閘、合閘動作,為均勻內部電場分布以及減少金屬蒸汽的蒸散污染,在觸頭和波紋管57周圍都設有屏蔽罩58。
在觸頭分閘過程中,觸頭間產生真空電弧,真空電弧靠觸頭上蒸發出來的金屬等離子體維持,當工頻電流過零時,金屬蒸汽將停止蒸發,同時由于真空電弧的等離子體快速向四周擴散,電弧被熄滅,觸頭間隙很快變為絕緣體,于是電流被分斷,燃弧過程中產生的金屬蒸汽被屏蔽罩58表面冷凝。但是現有的真空滅弧室由于其自身構造的限制,難以在高壓以及超高壓的環境下仍然保持較好的耐電壓性,使其在往高壓以及超高壓方向發展中受到制礙。
發明內容
本發明的第一目的在于提供一種具備集成化功能的絕緣外殼,具有提高其內部耐電壓性的優點。
本發明的上述第一目的是通過以下技術方案得以實現的:
一種具備集成化功能的絕緣外殼,包括筒狀殼體,筒狀殼體的內壁設有用于增加筒狀殼體軸向兩端之間爬電距離的凸起或凹陷的不平整紋路,該凸起或凹陷的不平整紋路所形成的爬電距離路徑上具有兩個以上翻越式或繞行式子路徑。
真空滅弧室在向高壓及超高壓方向發展的過程中,對真空滅弧室內部的耐電壓性提出了更高的要求,其主要體現在,對封接在絕緣外殼軸向兩端的金屬蓋板之間于真空滅弧室內側的絕緣性要求,通過在筒狀殼體的內壁設置凸起或凹陷的不平整紋路,該凸起或凹陷的不平整紋路所形成的爬電距離路徑上具有兩個以上翻越或繞行式的子路徑,使得絕緣外殼兩開口端的金屬蓋板沿絕緣外殼內壁的最短距離增加,即爬電距離的增加,使由該絕緣外殼構成的真空滅弧室的室內絕緣性提高,使其擁有更高的耐電壓性,為真空滅弧室往高壓以及超高壓方向發展提供了指引,使真空滅弧室適用于高壓以及超高壓的環境需求。
進一步,所述凸起或凹陷的不平整紋路包括與筒狀殼體同心設置的多個增爬環,所述增爬環呈自筒狀殼體的內壁向中心凸起的圓環,相鄰的增爬環沿筒狀殼體的軸向間隙設置,增爬環的橫斷面輪廓除去與筒狀殼體相交部分之外的部分構成所述翻越式子路徑。
通過采用上述技術方案,由于每一增爬環均為向內凸起的圓環,因此使得絕緣外殼內部的爬電距離為筒狀殼體縱切面的內側邊,該內側邊由原沿筒狀殼體內壁的直線型路徑以及翻越式子路徑的組合路徑,整體呈翻越式的曲折路徑,大大增加爬電距離,從而提高絕緣外殼的耐電壓性。
進一步,以筒狀殼體軸向的中點所在的橫斷面為基準面,位于所述基準面兩側的增爬環背向基準面的一側面均形成有環槽,所述環槽沿筒狀殼體的軸向向基準面方向凹陷。
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