[發明專利]電化學處理器在審
| 申請號： | 201610190369.2 | 申請日： | 2012-05-17 |
| 公開（公告）號： | CN105714343A | 公開（公告）日： | 2016-06-29 |
| 發明（設計）人： | 格雷戈里·J·威爾遜;保羅·R·麥克休;凱爾·M·漢森 | 申請（專利權）人： | 應用材料公司 |
| 主分類號： | C25D5/08 | 分類號： | C25D5/08;C25D17/00;C25D17/02 |
| 代理公司： | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金國;趙靜 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電化學 處理器 | ||
1.一種電化學處理晶片的方法，包含以下步驟：
使所述晶片面朝下的表面接觸電解質溶液；
提供電流，使所述電流從第一電極經由所述電解質流到所述晶片的表面，在電鍍開始時，所述電流在所述晶片的表面或其附近有近乎垂直的伏特等值線，在電鍍結束時，所述伏特等值線變成近乎水平的等值線；以及
所述電流流動促使電鍍槽中的金屬離子沉積于所述晶片的表面。
2.一種電化學處理晶片的方法，包含以下步驟：
使所述晶片表面接觸電解質溶液；
提供電流，使所述電流從電極經由所述電解質流到所述晶片表面，且表面電阻Rs/Rbath大于1；
所述電流流動促使電鍍槽中的金屬離子沉積于所述晶片的表面。
3.一種電化學處理晶片的方法，包含以下步驟：
使所述晶片表面接觸電解質溶液；
提供第一電流，使所述第一電流從陽極經由所述電解質流到所述晶片的表面；
提供來自取樣電極的第二電流，使所述第二電流流過所述電解質，并且取樣比率(傳送到所述晶片的電流/傳送到所述取樣電極的電流)大于1.5；以及
所述電流流動促使電鍍槽中的金屬離子沉積于所述晶片的表面。
4.如權利要求1、2或3所述的方法，其中所述晶片的直徑為450mm。
5.如權利要求1、2或3所述的方法，其中所述金屬包含銅。
6.如權利要求3所述的方法，其中所述取樣比率大于2.5。
7.如權利要求3所述的方法，其中所述取樣比率大于5。
8.如權利要求3所述的方法，其中所述取樣比率大于10。
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