[發明專利]應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置在審
| 申請號: | 201610186047.0 | 申請日: | 2016-03-29 |
| 公開(公告)號: | CN105624612A | 公開(公告)日: | 2016-06-01 |
| 發明(設計)人: | 廖良生;武啟飛;陳敏 | 申請(專利權)人: | 蘇州方昇光電裝備技術有限公司 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26;C23C14/54 |
| 代理公司: | 南京蘇科專利代理有限責任公司 32102 | 代理人: | 陸明耀;陳忠輝 |
| 地址: | 215000 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 應用于 蒸發 鍍膜 金屬 裝置 | ||
技術領域
本發明涉及一種應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,尤其涉及一種應用于蒸發鍍膜的低功耗金屬蒸發裝置。
背景技術
真空熱蒸發鍍膜在有機EL(ElectroLuminescence)電致發光,有機太陽能電池,金屬電極,食品包裝等行業被廣泛應用,以及相應薄膜器件的產業化中應用也非常廣泛,其基本原理是利用加熱的手段使源受熱蒸發,由固相/液相變成氣相,然后氣體分子或原子在蒸發源與基板(襯底)之間輸運,最后蒸發的分子或原子在基板(襯底)上沉積,形成所需要的薄膜。
傳統的真空熱蒸發鍍膜裝置采用金屬片作為金屬蒸發源,耗能大,加熱慢,且金屬片與蒸發材料存在接觸,降低了真空熱蒸發鍍膜裝置的使用壽命,且加熱過程中,沒有相關的溫度監控。
發明內容
本發明的目的是解決上述現有技術的不足,提供一種應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置。
為了達到上述目的,本發明所采用的技術方案為:
應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,其特征在于:包括陶瓷封接電極和金屬蒸發主體,
其中,所述金屬蒸發主體包括陶瓷管、坩堝、加熱絲和主體支架,三片氧化鋁陶瓷片和復數支撐絲桿,
所述主體支架由復數支撐絲桿分別貫穿至少三片氧化鋁陶瓷片組成,支撐絲桿與氧化鋁陶瓷片之間相對固定,相鄰氧化鋁陶瓷片之間留有間隙,
所述陶瓷管套設與所述主體支架上,并且限位于主體支架的兩側氧化鋁陶瓷片之間,
所述主體支架的一側氧化鋁陶瓷片上貫穿設置有電極柱,另一側氧化鋁陶瓷片上開設有裝載所述坩堝的槽孔,所述坩堝設置于所述槽孔內,并且坩堝的敞口朝外,
所述加熱絲軸向穿接繞置于裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片及與其相鄰的氧化鋁陶瓷片之間,并且加熱絲圍繞所述坩堝的外壁,所述加熱絲的兩端分別與電極柱相導通連接,
所述陶瓷封接電極與所述電極柱相導通連接。
進一步地,所述陶瓷管與所述主體支架之間設置有鉭箔層。
進一步地,所述金屬蒸發主體內設置有用于測量溫度的熱電偶,所述熱電偶與所述電極柱相導通連接,并且所述熱電偶的感溫點與所述加熱絲相鄰。
進一步地,所述電極柱通過一連接套與所述熱電偶及加熱絲相導通連接。
進一步地,所述熱電偶為S型熱電偶或鎢錸熱電偶。
進一步地,所述裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片的槽孔四周設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,與所述裝載坩堝的氧化鋁陶瓷片相鄰的氧化鋁陶瓷片亦設置有用于穿接加熱絲的穿接孔,所述加熱絲沿穿接孔穿接于兩氧化鋁陶瓷片之間。
進一步地,所述加熱絲至少包括鉭絲和鎢絲。
進一步地,所述加熱絲的線徑為0.3~1mm。
進一步地,所述鉭箔層的厚度為0.02~0.1mm,表面粗糙度優于Ra0.8。
進一步地,所述支撐絲桿為鎢桿或鉬桿。
本發明的有益效果主要體現在:
1.采用鉭加熱絲或鎢加熱絲作為加熱介質,可以達到較高溫度,加熱速度快,效率高,耗能低;
2.增設了熱電偶,能在加熱過程中直觀的監測溫度,有利于控制材料的蒸發;
3.坩堝內蒸發材料與加熱絲無接觸,增加了使用壽命;
4.具有鉭箔層,起到保溫隔溫的作用,降低加熱過程中的熱能損耗,進一步降低了能耗;
5.陶瓷封接電極的接口為真空行業標準接口,易于安裝、更換、維護。
附圖說明
圖1是本發明應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置的結構示意圖;
圖2是本發明應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置的截面結構示意圖。
具體實施方式
本發明提供應用于蒸發鍍膜的金屬蒸發裝置,具有低耗能的特點。以下結合附圖對本發明技術方案進行詳細描述,以使其更易于理解和掌握。
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